ES1A ... ES1J ES1A ... ES1J IFAV = 1 A VF < 0.92...1.7 V Tjmax = 150C Superfast Efficient SMD Rectifier Diodes Superschnelle SMD-Gleichrichter fur hohen Wirkungsgrad VRRM = 50...600 V IFSM = 30/33 A trr < 15...35 ns Version 2020-01-27 Typical Applications Rectification of higher frequencies High efficient switching stages Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified 1) 2.2 0.2 2.1 0.2 5 0.2 + 0.1 0.15 Type Typ Besonderheiten Extrem niedrige Sperrverzugszeit Niedrige Fluss-Spannung Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE 2.7 0.2 Features Extremely low reverse recovery time Low forward voltage drop Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) 1.50.1 0.3 1.1 Typische Anwendungen Gleichrichtung hoher Frequenzen Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad Standardausfuhrung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert 1) EL V SMA ~ DO-214AC Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 0.3 4.5 7500 / 13" Weight approx. Dimensions - Mae [mm] Gegurtet auf Rolle 0.07 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehausematerial Solder & assembly conditions 260C/10s Lot- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) DC blocking voltage Sperrgleichspannung VDC [V] 3) ES1A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stospitzensperrspannung VRSM [V] 50 50 ES1B/-Q 100 100 ES1C 150 150 ES1D/-Q 200 200 ES1F 300 300 ES1G 400 400 600 600 ES1J/-AQ 480 Average forward current Dauergrenzstrom Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current Stostrom in Fluss-Richtung TT = 100C IFAV 1A f > 15 Hz TT = 100C IFRM 6A Half sine-wave Sinus-Halbwelle 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 30 A 33 A t < 10 ms i2t 4.5 A2s Tj TS -50...+150C -50...+150C Rating for fusing Grenzlastintegral Junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25C unless otherwise specified - TA = 25C wenn nicht anders angegeben Defined for -AQ parts only - Nur definiert fur -AQ Bauteile (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 ES1A ... ES1J Characteristics Kennwerte Type Typ Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) Tj = 25C Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at / bei IF [A] ES1A, ES1B/-Q...ES1D/-Q < 15 < 0.92 1 ES1F...ES1G < 25 < 1.3 1 ES1J/-AQ < 35 < 1.7 1 Leakage current Sperrstrom Tj = 25C Tj = 100C VR = VRRM Typ. thermal resistance junction to ambient - Typ. Warmewiderstand Sperrschicht-Umgebung Typ. thermal resistance junction to terminal - Typ. Warmewiderstand Sperrschicht-Anschluss IR < 5 A < 100 A RthA RthT 70 K/W 2) 30 K/W 10 120 [%] [A] 100 ES1A...D 1 ES1F...G 80 60 ES1J 0.1 40 10-2 20 IF IFAV 0 10-3 0 TA 100 50 150 [C] Rated forward current versus ambient temperature1 ) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) 10 VF Tj = 25C f = 1.0 MHz [pF] Tj = 85C 1 [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Tj = 125C [A] 10 Tj = 25C Tj = 25C -1 10-2 Cj IR 10-3 0 VRRM 40 60 [%] VR 100 [V] Junction capacitance vs. reverse voltage (typical) Sperrschichtkapazitat in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.) Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) u. Sperrspannung Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 IF = 0.5 A through/uber IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lotpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ (c) Diotec Semiconductor AG