2zZ. e N schottky diodes THOMSON-CSF diodes schottky Types IMaximum ratings Characteristics at 25C Vam If Ip @ Vr Ve @ Ik Cc @ Vr Dynamic Marking} Pin out parameters max min max max (Vv) (mA) | (A) (Vv) (Vv) (mA)| (pF) (Vv) BAT 17 4 30 0,25 3 0,6 10 | 1 0 F<7dB @ 1000MHz(i)} A3 BAT 53 10 30 0,1 5 04 1 1,2 0 }7t<120ps @ 10mA(2) D62 K BAR 18 70 30 0,2 50 041 1 2 - 0 | %<100ps @ 5mA(2) D076 ne BAR 42 30 100 (405 2]. 04 4+107 5 1 | ty< 5ns@10mA D94 A BAR 43 30 100 0,5 25 |:0,26.. 0,33 245 1 trr< 5ns @ 10mA D95 BAR 43 A 30 100 0,5 25 026 0,33 215 1 try < 5Sns @ 10mMA 081 * Ky [ Ko BAR 43 C 30 100 0,5 25 | 0,26 0,33 2 5 1 trr< 5ns @ 10mA D82 Al i A2 Al BAT 17D9g 4 30 0,25 3} 06 10 | 1 0 F<7 dB @ 1000MHz(1)} D85 = | K2 BAR 43S |. 30 100 0,5 25 10,26 0,33 2|5 1 | ty< 5ns@ 10mA DAS KI eS hr (): Mixer noise figure 2): Minority carrier lifetime (Krakauer method) _ Typical value N: New product * Facteur de bruit mlangeur (2): pure de vie des porteurs minoritaires (mthode de Krakauer) * Valeur typique * Nouveau produit e PIN diodes diodes PIN Types Maximum ratings Characteristics at 25C Vr Ig IR @ VRi Ve @ Ie C @ Val ts If] ts @ Ip | Marking Pin out max max typ max typ w | ima | ua owl w imal rw] imal @) GAD BA 579 A 30 20 1 10 1 1 65 10 | 1500 10 D 73 Gf ry Pe KI ts K2 K BA 579 C 30 20 1 10 1 1 10 $1500 ~=+10 D 74 o Al A2 : Al Ve K2 BA 579 S 30 20 1 10 1 1 65 10 71500 10 D75 ki fe