BY251 ... BY255, BY1600 ... BY2000 BY251 ... BY255, BY1600 ... BY2000 Silicon Rectifier Diodes - Silizium-Gleichrichterdioden Version 2012-10-01 Nominal Current Nennstrom 7.50.1 Type 62.5 0.5 O 4.5+0.1 -0.3 O 1.20.05 Dimensions - Mae [mm] 3A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 200...2000 V Plastic case Kunststoffgehause ~ DO-201 Weight approx. Gewicht ca. 0.8 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehausematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stospitzensperrspannung VRSM [V] BY251 200 200 BY252 400 400 BY253 600 600 BY254 800 800 BY255 1300 1300 BY1600 1600 1600 BY1800 1800 1800 BY2000 2000 2000 higher voltages see BY4...BY16 hohere Spannungen siehe 4000...16000 4000...16000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50C IFAV 3 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 20 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stostrom fur eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25C IFSM 100/110 A Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25C i2t 50 A2s Tj TS -50...+150C -50...+175C Junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gultig, wenn die Anschlussdrahte in 10 mm Abstand von Gehause auf Umgebungstemperatur gehalten werden (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BY251 ... BY255, BY1600 ... BY2000 Characteristics Kennwerte Forward voltage - Durchlass-Spannung Tj = 25C IF = 3 A VF < 1.1 V Leakage current - Sperrstrom Tj = 25C VR = VRRM IR < 5 A Thermal resistance junction to ambient air Warmewiderstand Sperrschicht - umgebende Luft RthA < 25 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Warmewiderstand Sperrschicht - Anschlussdraht RthL < 10 K/W 2) 120 2 10 [%] [A] 100 Tj = 125C 10 80 Tj = 25C 60 1 40 10-1 20 IF IFAV 0 10 100a-(3a-1.1v) -2 0 TA 100 50 150 [C] Rated forward current versus ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 2 10 [A] 10 iF 1 1 10 102 [n] 103 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchla-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 1 2 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gultig, wenn die Anschlussdrahte in 10 mm Abstand von Gehause auf Umgebungstemperatur gehalten werden Measured in 3 mm distance from case - use for bypass diodes test Gemessen in 3 mm Abstand vom Gehause - zu verwenden fur Bypass-Diodentest http://www.diotec.com/ (c) Diotec Semiconductor AG