BAS216WT - Diotec Semiconductor

BAS216WT

Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes

Schnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmontage

Version 2010-11-30

Dimensions - Maße [mm]

Power dissipation – Verlustleistung 150 mW

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

85 V

Plastic case – Kunststoffgehäuse SOD-523

Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C)

BAS216WT

Power dissipation − Verlustleistung Ptot 150 mW 1)

Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) IFAV 150 mA 1)

Non repetitive peak forward surge current

Stoßstrom-Grenzwert

tp ≤ 1 s

tp ≤ 1 µs

IFSM

0.5 A

2 A

Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung VRRM 85 V

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)

Forward voltage 2)

Durchlass-Spannung 2)

IF = 1 mA

IF = 10 mA

IF = 50 mA

IF = 150 mA

< 715 mV

< 855 mV

< 1.0 V

< 1.25 V

Leakage current

Sperrstrom

Tj = 25°C VR = 75 V IR< 1 µA

Tj = 150°C

VR = 25 V

VR = 75 V

< 30 µA

< 50 µA

Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität

VR = 0 V, f = 1 MHz

CT1.5 pF

Reverse recovery time – Sperrverzug

IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA

trr < 4 ns

Thermal resistance junction to ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

RthA < 620 K/W 1)

1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

1.2

0.12

0.8

0.35

0.7

1.6