BAS216WT BAS216WT Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes Schnelle Si-Planar-Dioden fur die Oberflachenmontage Version 2010-11-30 0.8 0.35 0.12 0.7 1.2 1.6 Dimensions - Mae [mm] Power dissipation - Verlustleistung 150 mW Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 85 V Plastic case - Kunststoffgehause SOD-523 Weight approx. - Gewicht ca. 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehausematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25C) Grenzwerte (TA = 25C) BAS216WT Power dissipation - Verlustleistung Ptot 150 mW 1) Max. average forward current - Dauergrenzstrom (dc) IFAV 150 mA 1) IFSM IFSM 0.5 A 2A VRRM 85 V Tj TS -55...+150C -55...+150C Non repetitive peak forward surge current Stostrom-Grenzwert tp 1 s tp 1 s Repetitive peak reverse voltage - Periodische Spitzensperrspannung Junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur Characteristics (Tj = 25C) Kennwerte (Tj = 25C) Forward voltage 2) Durchlass-Spannung 2) Leakage current Sperrstrom IF IF IF IF = = = = 1 mA 10 mA 50 mA 150 mA VF VF VF VF < 715 mV < 855 mV < 1.0 V < 1.25 V Tj = 25C VR = 75 V IR < 1 A Tj = 150C Tj = 150C VR = 25 V VR = 75 V IR IR < 30 A < 50 A Max. junction capacitance - Max. Sperrschichtkapazitat VR = 0 V, f = 1 MHz CT 1.5 pF Reverse recovery time - Sperrverzug IF = 10 mA uber/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 4 ns RthA < 620 K/W 1) Thermal resistance junction to ambient air Warmewiderstand Sperrschicht - umgebende Luft 1 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lotpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 s, duty cycle 2% - Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhaltnis 2% (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAS216WT 1 120 [%] [A] 100 -1 10 80 Tj = 125C 10 -2 60 40 Tj = 25C 10-3 20 IF Ptot 0 0 TA 50 100 150 [C] 10-4 1 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) 2 http://www.diotec.com/ 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) (c) Diotec Semiconductor AG