PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTORS, EPITAXIAL BASE BD 676, A TRANSISTORS DARLINGTON SILICIUM PNP, BASE EPITAXIEE BD 678 A f BD 680, A Compl. of BD 675, A ;: BD 677, A; BD 679, A PRELIMINARY DATA NOTICE PRELIMINAIRE These transistors are intended for comple- mentary symetry power amplifiers, audio- -45V BD 676,A drivers, convergence and vertical deflexion VcEO 60V BD 678, A circuits in TV receivers. -80V BD 680, A Amplificateurs de puissance 4 symtrie comple- mentaire, drivers, circuits de convergence et de le -4A dflexion verticale dans les rcepteurs TV. P. tot 40W Rtnij-c) 2,5C/W max ho 4_(1,5 - 2A) 750 min Dissipation and Is/p derating Plastic case TO-126 See outline drawing CB-16 on last pages Variation de dissipation et de Ig 7p Boitier plastique Voir dessin cot CB-16 dernires pages 100% NK | so| | 4 T S~ co] | I | bo 40 "i 2. 20 | I . : ol- Weight : 0,7g Collector is connected to case a 50 100 t 2 . (C} Masse Le collecteur est reli au boitier case ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t = 25C {Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION case (Sauf indications contraires} BD 676,A BD678,A BD680,A Fanos Ooitceraus bee Veso 45 ~60 80 v Fonsion conecrour bmetteur Vceo 45 60 80 v Foe Mocterimctee FRET TKR VcER 45 60 80 Vv Fonuinn dmontevr bon Veso ~5 -5 5 v Courant coliecteor le 4 -4 -4 A eae cuent Ip 0,1 0,1 0,1 A Donate ie puisonce Tease = 25C Prot 40 40 40 Ww Tenecture de onction max i 125 125 125 C Storage temperature min t 65 55 55 c Temprature de stockage max stg +125 4125 +125 C 74-10 4 THOMSON - CSF pon saci, 519 Seaacsann BD 676, A, BD 678, A, BD 680, A STATIC CHARACTERISTICS t = 25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES case (Saut indications contraires} to _ Test conditions ; Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vege =722,5 V BD 676,A 500 BA ip =0 Collector-emitter cut-off current Vee =~30V | 4 Courant rsiduel collecteur-metteur lp =0 CEO BD 678, A 500 ua Vee =40V | ce BD 680, A 500 HA a =e Vep =45V ; CB 0 BD 676, A -0,2 mA E = ' Ip =0 BD 676,A -2 mA | = 100C Veg =-60V ' cB = BD 678,A 0,2 mA E = Collector-base cut-off current lego Courant rsiduel collecteur-base Vv cB = ~60 V c Ip = BD 678,A 2 mA Tease = 100C Veg =--80V 9 BD 680, A 0,2 mA E 7 Veg = ~80V th =0 BD 680, A 2 mA tease = 100C . - Vv 8V Courant resduel sretteursbeet le =0 'EB0 mA Cc 1 50 mA BD 676A; 45 Vv Collector-emitter breakdown voltage c = * _ Tension de claquage collecteur-metteur I = Vip R)CEO BD 678 A 60 v B BD 680 A} 80 v Veg =-3V BD 676 _ BO 678 750 lo =15A Static forward current transfer ratio * BD 680 Valeur statique du rapport de transfert ho, E direct du courant BD 676A Vee = 3Vv | =-2A BD 678 A| 750 c= BD 680A * Pulsed ty =300us 6 < 2% impulsions 2/4 520 BD 676, A, BD 678, A, BD 680,A STATIC CHARACTERISTICS t = 25C (Unless otherwise stated! CARACTERISTIQUES STATIQUES case (Sauf indications contraires) Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. Ic =1SA 8D 678 25 v lp =0,03 ee . . B 0.03 A BD 680 Vv Collector-emitter saturation voltage Vv * Tension de saturation collecteur-metteur CEsat | . \ =2A BD 676A v c- -2,8 Vv i, = 0.04 A BD 678A : BD 680 A V , Vog =3V BD 676 V \ =-15A BD 678 2,5 Vv , Cc TO" BD 680 Vv Base-emitter voltage Voc* Tension base-metteur BE Voge =-3V BD 676A Vv ln =-2A BD 678A 2,8 Vv c BD 680A Vv DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux} Voge = -3V Transition frequency mo f Frquence de transition Io =T15A T 1 MHz f =1 MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance . Rsistance thermique {(jonction-boitier) Rini-c) 25 cw * Pulsed t, =300us < 2% imputsions 3/4 521 BD 676, A, BD 678, A, BD 680, A SAFE OPERATING AREA Aire de fonctionnement de scurit (A) 0,5 0,2 t 25C case CONTINUOUS eee Continu OA 0,05 0,02 0,01 BD 676, BD 678, A BD 680, A 10 20 50 VcelV) 4l4 522