PNP SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORS PNP SILICIUM, PLANAR EPITAXIAUX * Compl. of 2N 2221, A and 2N 2222, A *2N 2906 ,A *2N 2907,A - LF or HF amplification Amplification BF ou HF - + Medium current switching Commutation 4 moyen courant Maximum power dissipation Dissipation de puissance maximale 2K Preferred device Dispositif reeommand 40V =. 2N 2906 - 2907 VcEo 60V 2N2906A-2907A Ic 06A hoqE 40-120 2N 2906, A (150 mA) 100-300 2N 2907,A fy 200 MHz min. Case TO-18 See outline drawing CB-6 on last pages P Boitier Voir dessin cot CB-6 dernires pages tot (w) 1,8 1,6 cC Je 8 Bottom view Vue de dessous 0,4 TombleC) (1) . . T10) (2 Weight :. 0,32 9 Collector is connected to case 0 25 100 200 case {2) Masse Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) T =+25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION amb (Sauf indications contraires} 2N 2906 2N 2906 A 2N 2907 2N 2907 A Collector-base voltage Vv Tension collecteur-base CBO ~60 60 Vv Collector-emitter voltage Vv, Tension collecteur-metteur CEO 40 60 v Emitter-base voltage ol Tension metteur-bese Veso 5 5 v Collector current Courant collecteur 'c 06 06 a T = 26C (1) 0,4 0,4 Power dissipation amb Pp. w Dissipation de puissance tot Tease = 25C (2) 18 18 Junction temperature T. e Temprature de jonction max. J 200 200 c Storage temperature min. T 65 65 c Temprature de stockage max. stg +200 +200 c 75-43 1/6 THOMSON-CSF Sesosen2N 2906, 2N 2906 A, 2N 2907, 2N 2907 A STATIC CHARACTERISTICS T =25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES amb (Sauf indications contraires} Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. 2N 2906 20 Ie =0 2N 2907 Veg =-50V nA 2N 29064 10 Collector-base cut-off current I 2N 2907A Courant rsiduel collecteur-bese CBO 2N 2906 -20 le =0 2N 2907 Ves =50 V vA T =150C 2N 2906 Al ~10 amb 2N 2807A . Ver =0,5 V Collector-emitter cut-off current BE I Courant rsiduel collecteur-metteur Veg =-30V CEX 50 nA ! =0 Collector-base breakdown voltage E Vv ~ Tension de claquage collecteur-base le =10 pA {BR)CBO 60 v 2N 2906 -40 ' =0 2N 2907 Collector-emittar breakdown voltage ie 10 mA ViBR)CEO Vv ension de claquage collecteur-matteu: = " c 2N2806A| _9 2N 2807A Emitter-base breakdown volta Ie 0 _ Tension de clequage dmetteur-bose ic =10 pA ViBR)eno 5 v 2N 2906 20 Iq =-0,1 mA 2N 2907 35 Vee =-10V 2N2906A 40 2N2907Al 76 2N 2906 | 25 Static forward current transfer ratio 1 =1 MA Valeur statique du rapport de transfert = tov hoe 2N 2807 | 50 direct du courent cE * 2N 2906A/ 40. 2N 2907A| 100 2N 2906 35 Ig =-10maA 2N 2907 76 Veg =-10V 2N 2906A/ 40 |[2N 2907A! 100 * Pulsed t, =300us < 2% impulsions P 2/6 2362N 2906, 2N 2906 A, 2N 2907, 2N 2907 A STATIC CHARACTERISTICS T. =25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES amb ~ (Saut indications contraires) Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. le =150 mA 2N 2906,A) 40 120 Voce = 10 2N 2907,A| 100 300 Static forward current transfer ratio 2N 29068 20 Valeur statique du rapport de transfert hoy e* direct du courant 1c =500 mA 2N 2907 30 Vag =-10V ce=-10 2N2906A| 40 2N2907A| 50 | w--150 mA c lg =-15mA 0.4 Collector-emitter saturation voltage VcEsat* V Tension de saturation collecteur-metteur Ic =500 mA 16 gp =-50 mA 1 1 =150 mA c - Ip =-15mA 1,3 Base-emitter saturation voltage Vee cf Vv Tension de saturation base-metteur Ig =-500mA 58 Ig =-80mA 2.6 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux} T f te =50 mA ransition frequency = 0 Frquence de transition Voce =-20V fy 200 MHz =100 MHz }. ' it Vog =-10V jutput capacitance _ Capacit de sortie Ip =0 C225 8 pF f =100 MHz Veg =-2V Input capacitance Ig =0 CHtb 30 pF Capacit dentre ; =100 MHz SWITCHING CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DE COMMUTATION Turn-on time . Ig #150 mA Temps total dtablissement (Fig.1) Ip *-15 mA tat t 45 ns Turn-off time Ic =150 mA aN A 176 Temps total de coupure (Fig.2) 1g, *-15mA tt ns gg *t15 mA 2N 2907,A 200 * Pulsed t. =300us 6 <2% impulsions 3/6 2372N 2906, 2N 2906 A, 2N 2907, 2N 2907 A SWITCHING TIMES TESTS CIRCUITS SCHEMAS DE MESURES DES TEMPS DE COMMUTATION Figure 1 Oscilloscope Oscilloscope <1 ns - -oe a t, < Sns ' \ Generator R > 100 kQ OVeme 410% Gnrateur C < 12 pF Input pulse K t t. 1ns 200 2 Impulsion dentre I z = 592 : ! I | 30V | i I ' ~~ aM gy Figure 2 Oscilloscope Oscilloscope t, <5ns R > 100k2 20kQ < 12pf @ +13,7V | Generator 1 Gnrateur 502 t, <1ns j Input pulse Z = 602 | impulsion dentre ! ~1643V ~~ 4 90% pel SS 4/6 2382N 2906, 2N 2906 A, 2N 2907, 2N 2907 A TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES CEsat 7 (v) 2N 2906, A Tamb = 28C 0,8 ; A 200 mA \ \ 20 mA ee NS a To K NY ~~ a 0,2 < Ig=10 mA ee | 6 8 2 4 8 10 6 10 10! Igimal Voesat ) 2N 2907, A Tymbs = 25C 0,8 . WAY INL ' NNANEX 4 6 8 1071 102 tgimal 5/6 2392N 2906, 2N 2906 A, 2N 2907, 2N 2907 A TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES hay e* Itamp! hoe (10 mA-26C) Voe=1 = Voce =3V 192 7 * S8g4 6 8 10? 2 6 8 Igima} 6/6 240