NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA *IN 2815 *2N 2816 TRANSISTORS NPN SILICIUM, MESA DIFFUSES * 2 N 2 81 7 * 2 N ? 81 8 2K Preferred device Dispositif recommand - LF large signal amplification Amplification BF grands signaux 80 V 2N 2815 Vv 100 V 2N 2816 - High current switching cEO Commutation fort courant 150V 2N 2817 200V = =2N 2818 lo 20A Prot 200 W Rth (j-c) C/W somax. ha1E (10a) 10-50 Dissipation derating Case TO-637 See outline drawing CB-70 on last pages Variation de dissipation Boitier Voir dessin cot CB.70 dernires pages 100 % r 75 N ~\ B - 50 / 25 Top view Vue de dessus E Weight : 235g Collector is connected to case 50 Jo 150 + fe) Masse Le coflecteur est reli au boftier casi ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t = 26C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION case (Sauf indications contraires} 2N 2815 2N2816 2N2817 2N 2818 Collector-base voltage Tension collocteur base Vo BO 80 100 150 200 v Collector-emitter voltage Vv Tension coltecteur-metteur CEO 80 100 150 200 Vv Emitter-base voltage , Tension metteur-base Yeso | 10 10 10 10 v Collector current | Courant collecteur c 20 20 20 20 A Base current I Courant base 8 10 10 10 10 A Power dissipation Dissipation de puissance tease = 28C Prot 200 200 200 200 w Junction temperature t 6 Temprature de jonction max I 200 200 200 200 Cc Storage temperature min bgtg --65 65 65 65 C Temprature de stockage max +200 +200 +200 +200 C 73-11 W3 THOMSON - CSF BB cxntion sewiconoucteuns, 249 *2N 2815, *2N 2816, *2N 2817, *2N 2818 STATIC CHARACTERISTICS {Unless otherwise stated) = 95 CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C (Sauf indications.contraires! Test conditions . Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vee = 80V 2 Vee =-15V Vee =80V 2N 2815 mA Vee =-15V 20 toase = 150C Vee = 100V CE 00 2 Vee =-15V | mA Veg = 100V 2N 2816 Vee =-15V 20 tease = 150C Collector-emitter cut-off current \oEXx Courant rsidue/ callecteur-metteur Vv = 150V CE 2 VBE =-1,5V Vee =150V 2N 2817 mA Vee =-15V 20 toase = 150C Vee =200V Vee = 15 V 2 | mA Voce = 200 V 2N 2818 Vee =-1,5V 20 tease = 150C ~T om Emitter-base cut-off current Veg = 10V lego 0,25 mA Courant rsiduel metteur-base le =0 2N 2815 | 80 Vv 2N 2816 | 100 Vv Collector-emitter breakdown voltage Iq = 100 mA Vv * Tension de claquage collecteur-metteur lp =0 (BR)CEO 2N 2817 150 Vv 2N | 200 Vv * Pulsed t,, = 300 ps 2% impuisions e 23 250 *2N 2815, *2N 2816, *2N 2817, *2N 2818 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C (Unless otherwise stated} (Sauf indications contraires} Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Static forward current transfer ratio Vor =3V * Valeur statique du rapport de transfert " hoq E 10 50 di t =10A firect du courant Cc : : t =t0A * Collector-emitter saturation voltage Cc Vee t 15 Vv Tension de saturation collecteur-metteur Ip =15A sa ' Base-emitter saturation voltage Ile =10A Vv * Tension de saturation base-metteur lpg =1,5A BEsat 2,5 Vv DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) Vee =3V Transition frequency ( " I0A f. Cc = T 0,6 MHz Frquence cle transition f =1MHz Turn-on time lo = 10A Temps total dtablissement Ip =1,5A ty+t, 3,5 US le =10A Fall time a1 = 15A t 6 us Temps de dcroissance po =-15A f Carrier storage time Io = 110A arrier storage ti t Retard a ia dcroissance 'B1 = 15A s 6 us Ipp =15A THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance Rey: 1 Rsistance thermique (jonction-boitieri th(j-c} c/w * Pulsed = 1, = 300 us 8 <2 % impulsions p 3/3 251