High Power NPN Silicon Power
Transistors
. . . designed for linear amplifiers, series pass regulators, and
inductive switching applications.
•Forward Biased Second Breakdown Current Capability
IS/b = 3.75 Adc @ VCE = 40 Vdc — 2N3771
= 2.5 Adc @ VCE = 60 Vdc — 2N3772
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2N3771
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2N3772
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VCEO
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
40
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
60
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VCEX
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
50
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VCB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
50
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VEB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
7.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous
Peak
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
IC
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
30
30
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
20
30
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current — Continuous
Peak
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
IB
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
7.5
15
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
5.0
15
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ TC = 25C
Derate above 25C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
150
0.855
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
TJ, Tstg
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +200
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristics
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
2N3771, 2N3772
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
θJC
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
1.17
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
*Indicates JEDEC Registered Data.
200
00 25 50 75 100 125 150 175 200
Figure 1. Power Derating
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
150
100
50
25
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
175
125
75
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductor
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
March, 2001 – Rev. 9 1Publication Order Number:
2N3771/D
2N3771
2N3772
*ON Semiconductor Preferred Device
20 and 30 AMPERE
POWER TRANSISTORS
NPN SILICON
40 and 60 VOLTS
150 WATTS
*
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
2N3771 2N3772
http://onsemi.com
2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
Min
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*Collector–Emitter Sustaining Voltage (1) 2N3771
(IC = 0.2 Adc, IB = 0) 2N3772
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VCEO(sus)
40
60
—
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage 2N3771
(IC = 0.2 Adc, VEB(off) = 1.5 Vdc, RBE = 100 Ohms) 2N3772
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCEX(sus)
Î
50
80
ÎÎ
—
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage 2N3771
(IC = 0.2 Adc, RBE = 100 Ohms) 2N3772
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCER(sus)
Î
45
70
ÎÎ
—
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*Collector Cutoff Current
(VCE = 30 Vdc, IB = 0) 2N3771
(VCE = 50 Vdc, IB = 0) 2N3772
(VCE = 25 Vdc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICEO
Î
Î
—
—
ÎÎ
ÎÎ
10
10
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*Collector Cutoff Current
(VCE = 50 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) 2N3771
(VCE = 100 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) 2N3772
(VCE = 45 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) 2N6257
(VCE = 30 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) 2N3771
2N3772
(VCE = 45 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICEV
Î
Î
Î
Î
—
—
—
—
—
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
2.0
5.0
4.0
10
10
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*Collector Cutoff Current
(VCB = 50 Vdc, IE = 0) 2N3771
(VCB = 100 Vdc, IE = 0) 2N3772
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICBO
Î
—
—
ÎÎ
2.0
5.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*Emitter Cutoff Current
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0) 2N3771
(VBE = 7.0 Vdc, IC = 0) 2N3772
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
IEBO
Î
—
—
ÎÎ
5.0
5.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain (1)
(IC = 15 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N3771
(IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N3772
(IC = 8.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
(IC = 30 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N3771
(IC = 20 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N3772
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hFE
Î
Î
Î
Î
15
15
5.0
5.0
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
60
60
—
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 15 Adc, IB = 1.5 Adc) 2N3771
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc) 2N3772
(IC = 30 Adc, IB = 6.0 Adc) 2N3771
(IC = 20 Adc, IB = 4.0 Adc) 2N3772
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCE(sat)
Î
Î
Î
—
—
—
—
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
2.0
1.4
4.0
4.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage
(IC = 15 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N3771
(IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N3772
(IC = 8.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VBE(on)
Î
Î
—
—
ÎÎ
ÎÎ
2.7
2.2
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc, ftest = 50 kHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
fT
0.2
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
MHz
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Small–Signal Current Gain
(IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hfe
Î
40
ÎÎ
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
SECOND BREAKDOWN
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Second Breakdown Energy with Base Forward Biased, t = 1.0 s (non–repetitive)
(VCE = 40 Vdc) 2N3771
(VCE = 60 Vdc) 2N3772
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
IS/b
Î
3.75
2.5
ÎÎ
—
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Adc
*Indicates JEDEC Registered Data.
(1) Pulse Test: 300 µs, Rep. Rate 60 cps.
2N3771 2N3772
http://onsemi.com
3
Figure 2. Thermal Response — 2N3771, 2N3772
t, TIME (ms)
1.0
0.01
0.02
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.05
r(t), EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL
RESISTANCE (NORMALIZED)
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 2000
θJC(t) = r(t) θJC
θJC = 0.875°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) - TC = P(pk) θJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
D = 0.5
0.2
0.05
0.01
SINGLE PULSE
0.1
0.02
1000
40
1.0
Figure 3. Active–Region Safe Operating Area
— 2N3771, 2N3772
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
30
20
10
2.0 2.0 3.0 5.0 10 30 50 70 100
7.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
dc
5.0
7.0
3.0
100 µs
1.0 ms
20
2N3771
2N3772, (dc)
40 µs
100 ms
500 ms
PULSE CURVES APPLY
FOR ALL DEVICES 2N3771
2N3772
200 µs
BONDING WIRE LIMITED
THERMALLY LIMITED
(SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN LIMITED
CURVES APPLY BELOW RATED VCEO
TC = 25°C
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation: i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
Figure 3 is based on JEDEC registered Data. Second
breakdown pulse limits are valid for duty cycles to 10%
provided TJ(pk) < 200C. TJ(pk) may be calculated from the
data of Figure 2. Using data of Figure 2 and the pulse power
limits of Figure 3, TJ(pk) will be found to be less than TJ(max)
for pulse widths of 1 ms and less. When using ON
Semiconductor transistors, it is permissible to increase the
pulse power limits until limited by TJ(max).
Figure 4. Switching Time Test Circuit
+11 V
25 µs
0
-9.0 V
RB
-4 V
D1
SCOPE
VCC
+30 V
RC
tr, tf ≤ 10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
51
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.:
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA
RB AND RC ARE VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
10
0.3
Figure 5. Turn–On Time
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.01 0.5 0.7 1.0 2.0 5.0 7.0 30
VCC = 30
IC/IB = 10
TJ = 25°C
0.05
t, TIME (s)µ
td
tr
3.0
0.02
10 20
VBE(off) = 5.0 V
2N3771 2N3772
http://onsemi.com
4
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
100
0.3
Figure 6. Turn–Off Time
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.1 0.5 1.0 2.0 5.0 7.0 30
VCC = 30 V
IC/IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
0.5
t, TIME (s)µ
tf
ts
3.0
0.2
10 20
2000
0.1
Figure 7. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
200 0.2 1.0 2.0 5.0 100
Cib
10 20
C, CAPACITANCE (pF)
1000
700
500
300
0.5 50
Cob
TJ = 25°C
500
0.3
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30
100
50
20
200
hFE, DC CURRENT GAIN
TJ = 150°C
25°C
-55°C
7.0
300
70
30
10
7.0
VCE = 4.0 V
Figure 9. Collector Saturation Region
2.0
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
00.02 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
1.6
1.2
0.8
0.4
IC = 2.0 A
TJ = 25°C
0.05
5.0 A 10 A 20 A
2N3771 2N3772
http://onsemi.com
5
PACKAGE DIMENSIONS
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. ALL RULES AND NOTES ASSOCIATED WITH
REFERENCED TO-204AA OUTLINE SHALL APPLY.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
CASE: COLLECTOR
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERSINCHES
A1.550 REF 39.37 REF
B--- 1.050 --- 26.67
C0.250 0.335 6.35 8.51
D0.038 0.043 0.97 1.09
E0.055 0.070 1.40 1.77
G0.430 BSC 10.92 BSC
H0.215 BSC 5.46 BSC
K0.440 0.480 11.18 12.19
L0.665 BSC 16.89 BSC
N--- 0.830 --- 21.08
Q0.151 0.165 3.84 4.19
U1.187 BSC 30.15 BSC
V0.131 0.188 3.33 4.77
A
N
E
C
K
–T– SEATING
PLANE
2 PL
D
M
Q
M
0.13 (0.005) Y M
T
M
Y
M
0.13 (0.005) T
–Q–
–Y–
2
1
UL
GB
V
H
CASE 1–07
TO–204AA (TO–3)
ISSUE Z
2N3771 2N3772
http://onsemi.com
6
Notes
2N3771 2N3772
http://onsemi.com
7
Notes
2N3771 2N3772
http://onsemi.com
8
ON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes
without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular
purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability,
including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or
death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold
SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable
attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim
alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
CENTRAL/SOUTH AMERICA:
Spanish Phone: 303–308–7143 (Mon–Fri 8:00am to 5:00pm MST)
Email: ONlit–spanish@hibbertco.com
Toll–Free from Mexico: Dial 01–800–288–2872 for Access –
then Dial 866–297–9322
ASIA/PACIFIC: LDC for ON Semiconductor – Asia Support
Phone: 1–303–675–2121 (Tue–Fri 9:00am to 1:00pm, Hong Kong T ime)
Toll Free from Hong Kong & Singapore:
001–800–4422–3781
Email: ONlit–asia@hibbertco.com
JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031
Phone: 81–3–5740–2700
Email: r14525@onsemi.com
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
For additional information, please contact your local
Sales Representative.
2N3771/D
NORTH AMERICA Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada
Email: ONlit@hibbertco.com
Fax Response Line: 303–675–2167 or 800–344–3810 Toll Free USA/Canada
N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada
EUROPE: LDC for ON Semiconductor – European Support
German Phone: (+1) 303–308–7140 (Mon–Fri 2:30pm to 7:00pm CET)
Email: ONlit–german@hibbertco.com
French Phone: (+1) 303–308–7141 (Mon–Fri 2:00pm to 7:00pm CET)
Email: ONlit–french@hibbertco.com
English Phone: (+1) 303–308–7142 (Mon–Fri 12:00pm to 5:00pm GMT)
Email: ONlit@hibbertco.com
EUROPEAN TOLL–FREE ACCESS*: 00–800–4422–3781
*Available from Germany, France, Italy, UK, Ireland