BY396 ... BY399, RGP30K, RGP30M BY396 ... BY399, RGP30K, RGP30M Fast Silicon Rectifier Diodes - Schnelle Silizium-Gleichrichterdioden Version 2012-10-08 Nominal current Nennstrom 7.50.1 Type 62.5 0.5 O 4.5+0.1 -0.3 O 1.20.05 Dimensions - Mae [mm] 3A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 100...1000 V Plastic case Kunststoffgehause ~ DO-201 Weight approx. Gewicht ca. 1g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehausematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stospitzensperrspannung VRSM [V] BY396 100 100 BY397 200 200 BY398 400 400 RGP30K 800 800 RGP30M 1000 1000 BY399 = Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50C IFAV 3 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 20 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stostrom fur eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25C IFSM 100/110 A Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25C i2t 50 A2s Tj TS -50...+150C -50...+175C Junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gultig, wenn die Anschlussdrahte in 10 mm Abstand von Gehause auf Umgebungstemperatur gehalten werden (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BY396 ... BY399, RGP30K, RGP30M Characteristics Kennwerte Forward voltage - Durchlass-Spannung Tj = 25C IF = 3 A VF < 1.2 V Leakage current - Sperrstrom Tj = 25C VR = VRRM IR < 5 A Forward recovery time Durchlassverzugszeit IF = 100 mA tfr < 1.0 s Reverse recovery time Sperrverzugszeit IF = 0.5 A through/uber IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A trr < 500 ns Thermal resistance junction to ambient air Warmewiderstand Sperrschicht - umgebende Luft RthA < 25 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Warmewiderstand Sperrschicht - Anschlussdraht RthL < 10 K/W 120 102 [%] [A] 100 Tj = 125C 10 80 Tj = 25C 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 0 10-2 0 TA 50 100 150 [C] Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 1 1 2 100a-(3a-1.2v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gultig, wenn die Anschlussdrahte in 10 mm Abstand von Gehause auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ (c) Diotec Semiconductor AG