MYS40 ... MYS380
MYS40 ... MYS380
Surface Mount Si-Bridge-Rectifiers
Si-Brückengleichrichter für die Oberflächenmontage
Version 2012-10-09
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
0.5 A
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
40...380 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
3 x 3 x 1.8 mm
MicroDIL
Weight approx.
Gewicht ca.
0.04 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled Green Molding
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Halogen-Free
Marking:
Kennzeichnung:
Bar denotes "DC side"; type code either by lasermarking or colour of bar
Balken kennzeichnet „Gleichstromseite“; Typkodierung durch Laserbeschriftung oder
Balkenfarbe
Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067
Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Max. altern. input voltage
Max. Eingangswechselspg.
VVRMS [V]
Rep. peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspg.
VRRM [V] 1)
Marking / Kennzeichnung
Laser2) Colour/Farbe
MYS40 40 80 B ym yellow /gelb
MYS80 80 160 C ym red /rot
MYS125 125 250 E ym white /weiß
MYS250 250 600 J ym green /grün
MYS380 380 800 K ym blue /blau
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz IFRM 6 A 3)
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 20 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C i2t 2 A2s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55...+150°C
1 Valid per diode – Gültig pro Diode
2 “ym“´designates two digit datecode – “ym“ bezeichnet den zweistelligen Datumscode
3 Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
3-0.1
0.5
1.27
1.8-0.1
3.6+0.2
5.6+0.2
0.2
+
~~
MYS40 ... MYS380
Characteristics Kennwerte
Max. average forward rectified current
Dauergrenzstrom
TA = 50°C R-load
C-load
IFAV
IFAV
0.5 A 1)
0.4 A 1)
Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 0.5 A VF< 1.2 V 2)
Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR< 5 µA
Junction capacitance
Sperrschichtkapazität
f = 1 MHz VR = 4 V Cjtyp. 3 pF
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 70 K/W1)
Type
Typ
Max. admissible load capacitor
Max. zulässiger Ladekondensator
CL [µF]
Min. required protective resistor
Min. erforderl. Schutzwiderstand
Rt [Ω]
MYS40 1250 4.0
MYS80 625 8.0
MYS125 400 12.5
MYS250 166 30.0
MYS380 125 40.0
1 Mounted on P.C. Board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Valid per diode – Gültig pro Diode
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
150
10050
0[°C]
T
A
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4 0.8 1.0 1.2 1.4 1.8
[V]
V
F
T = 25°C
j
T = 125°C
j
20a-(0.5a-1.2v)
