2N3904
2N3904
General Purpose NPN Transistors
Universal-NPN-Transistoren
IC= 200 mA
hFE1 ~ 200
Tjmax = 150°C
VCEO = 40 V
Ptot = 625 mW
Version 2017-12-06
TO-92 (10D3)
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung 1)
Features
General Purpose
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Universell anwendbar
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped in ammo pack
(Raster 2.54) 4000 Gegurtet in Ammo-Pack
(Raster 2.54)
Weight approx. 0.18 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren 2N3906
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
2N3904
Collector-Emitter-voltage - Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 40 V
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 60 V
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 6 V
Power dissipation – Verlustleistung Ptot 625 mW 3)
Collector current – Kollektorstrom DC IC200 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics Kennwerte
Tj = 25°C Min. Typ. Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 4)
IC = 0.1 mA, VCE = 1 V
IC = 1 mA, VCE = 1 V
IC = 10 mA, VCE = 1 V
IC = 50 mA, VCE = 1 V
IC = 100 mA, VCE = 1 V
hFE
40
70
100
60
30
–
–
–
–
–
–
–
300
–
–
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
4 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
16
23.5
18
9
2 x 2.54
E B C
2N3904
Characteristics Kennwerte
Tj = 25°C Min. Typ. Max.
h-Parameters at/bei VCE = 10 V, - IC = 1 mA, f = 1 kHz
Small signal current gain – Kleinsignal-Stromverstärkung hfe 100 – 400
Input impedance – Eingangs-Impedanz hie 1 kΩ – 10 kΩ
Output admittance – Ausgangs-Leitwert hoe 1 µS – 40 µS
Reverse voltage transfer ratio – Spannungsrückwirkung hre 0.5*10-4 – 8*10-4
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 1)
IC = 10 mA, IB = 1 mA
IC = 50 mA, IB = 5 mA VCEsat
–
–
–
–
0.2 V
0.3 V
Base-Emitter saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 1)
IC = 10 mA, IB = 1 mA
IC = 50 mA, IB = 5 mA VBEsat
0.65 V
–
–
–
0.85 V
0.95 V
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
VCE = 30 V, VEB = 3 V ICBX – – 50 nA
Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom
- VCE = 30 V, - VEB = 3 V IEBV – –- 50 nA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
IC = 10 mA, VCE = 20 V, f = 100 MHz fT300 MHz – –
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
VCB = 5 V, IE = ie = 0, f = 1 MHz CCBO – – 4 pF
Emitter-Base Capacitance – Emitter-Basis-Kapazität
VEB = 0.5 V, IC = ic = 0, f = 1 MHz CEBO – – 8 pf
Noise figure – Rauschzahl
VCE = 5 V, IC = 1 µA, RG = 1 kΩ, f = 1 kHz F – – 5 dB
Switching times – Schaltzeiten (between 10% and 90% levels)
delay time
rise time
VCC = 3 V, VBE = 0.5 V
IC = 10 mA, IB1 = 1mA
td– – 35 ns
tr– – 35 ns
storage time
fall time
VCC = 3 V, IC = 10 mA,
IB1 = IB2 = 1 mA
ts– – 200 ns
tf– – 50 ns
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 200 K/W 2)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
