BC817-16 - DIOTEC SEMICONDUCTOR AG

BC817 ... BC818

SMD General Purpose NPN Transistors

SMD Universal-NPN-Transistoren

IC= 800 mA

hFE ~ 160/250/400

Tjmax = 150°C

VCES = 30...50 V

Ptot = 310 mW

Version 2017-08-15

SOT-23

(TO-236)

1 = B 2 = E 3 = C

Dimensions - Maße [mm]

Typical Applications

Signal processing,

Switching, Amplification

Commercial grade 1)

Typische Anwendungen

Signalverarbeitung,

Schalten, Verstärken

Standardausführung 1)

Features

General Purpose

Three current gain groups

Compliant to RoHS, REACH,

Conflict Minerals 1)

Besonderheiten

Universell anwendbar

Drei Stromverstärkungsklassen

Konform zu RoHS, REACH,

Konfliktmineralien 1)

Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)

Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle

Weight approx. 0.01 g Gewicht ca.

Case material UL 94V-0 Gehäusematerial

Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen

MSL = 1

Type

Code

Recommended complementary PNP transistors

Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren

BC817-16 = 6A or 6CR

BC817-25 = 6B or 6CS

BC817-40 = 6C or 6CT

BC818-16 = 6E or 6CR

BC818-25 = 6F or 6CS

BC818-40 = 6G or 6CT

BC807, BC808

Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)

BC817 BC818

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short VCES 50 V 30 V

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 45 V 25 V

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 5 V

Power dissipation – Verlustleistung Ptot 310 mW 3)

Collector current – Kollektorstrom DC IC800 mA

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom ICM 1 A

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom - IEM 1 A

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom IBM 200 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-55...+150°C

-55…+150°C

1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book

Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches

2 TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben

3 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Lötpad je Anschluss

2.4

1.3

±0.1

1.1

+0.1

0.4

+0.1

2.9

±0.1

Type

Code

1.9

±0.1

-0.05

-0.2

±0.2

BC817 ... BC818

Characteristics Kennwerte

Tj = 25°C Min. Typ. Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 1)

VCE = 1 V, IC = 100 mA

Group -16

Group -25

Group -40

hFE

100

160

250

–

250

400

630

VCE = 1 V, IC = 500 mA hFE 40 – –

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. 2)

IC = 500 mA, IB = 50 mA VCEsat – – 0.7 V

Base-Emitter saturation voltage – Basis-Emitter-Sättigungsspannung 2)

IC = 500 mA, IB = 50 mA VBEsat – – 1.3 V

Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 2)

VCE = 1 V, IC = 500 mA VBE – – 1.2 V

Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom

VCB = 20 V, (E open)

VCB = 20 V, Tj = 125°C, (E open) ICB0

–

100 nA

5 µA

Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom

VEB = 4 V, (C open) IEB0 – – 100 nA

Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz

VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 50 MHz fT– 100 MHz –

Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität

VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz CCBO – 12 pF –

Thermal resistance junction to ambient

Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 420 K/W 2)

Disclaimer: See data book page 2 or website

Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet

1 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

[%]

tot

120

100

[°C]

150100

Power dissipation versus ambient temperature )

Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )