Doubles transistors Planar pitaxiaux Dual NPN silicon transistors Epitaxial planar NPN silicium *2N 2060 2N 2060A *2N 2223 2N 2223A - Amplification diffrentielle Differential amplification - Modle double du transistor lmentaire 2N 1613 Dual model of elementary transistor 2N 1613 Dissipation de puissance maximale Maximum power dissipation Prot (wh) 4 2.5 \ \ nN eo neo - Qo fombOC) 0) (29(29 tease (PC) (3}(3") (4)(4") * Dispositif recommand Prefered device Donnes principales Principal features VcEO Ig 60 V 500 mA hoe (100 pA) 30 - 90 2N 2060,A 25 -150 2N 2223,A Boitier F 100 Case rhe f} hig li Valeurs limites absolues d'utilisation a tamb= 25C Absolute ratings (limiting values} ( Sauf indications contraires } Seseeseny (Unless otherwise specified) Paramatre 2N 2060 2N 2223 Parangater Qn 2060A | 2N 2223A Tension collecteur-base Collector-base voltage Veso 100 7 100 v Tension collecteur-metteur < Collector-emitter voltage Ree S102 VoER 80 80 Vv Tension collecteur-metteur | | Collector-emitter voltage VcEO 60 60 Vv Tension metteur-base Emitter-base voltage Vespo 7 7 Vv Courant collecteur Collector current 'e 500 500 mA tamb= 1 lment (1) (1) 0,5 05 Dissipation de puissance 25C _ 2 lments (2) (2) Pp 0,6 0,6 Ww Power dissipation case 1 lment_{3) (3) tot 1,5 1,6 25C 2 lments (4)(4') 3 3 Temprature de jonction . Junction temperature 4 200 200 c Temprature de stockage ter, 65 65 Storage temperature stg +200 +200 1970-06 1/52N 2060 * 2N 2060 A 2N 2223 * 2N 2223 A Caractristiques gnrales 4 tamb = 25C General characteristics Caractristiques dappariement Matching characteristics lq = 100 uA 2N 2060 Vcez5V 2N 2060 Al 09 1 2N 2223 A Condition dappariement du rapport de fated transfert direct du courant 100 uA a Static forward current transfer ratio balance Ic = & 2N 2223 21E2 08 1 Vace5V (note 1) * CE Ic =1mA jon 2060 09 1 Vog=5V 2N 2060 A " 2N 2060 A\ 3 le = 100 pA 2N 2060 5 Voe=5V 2N 2223 Al Tension diffrentielle base-metteur eerpe2 mV Base-emitter voltage differential 2N 2223 15 to =1mA 2N 2060 5 Vcepz5V 2N 2060 A 2N 2060 A 5 ta = 100pA Coefficient de temprature de la tension v =5V 2N 2060 10 diffrentietle base-metteur CE~ AIV5e1 peal rn Base-emitter voltage differential atamb vc temperature gradient -55C<tambS+125C |2N 2223 25 2N 2223 Al Note t :ho4_7 est le plus petit des deux hoy E Mesurs The lowest ho, resding is taken as hoyey 2/5*2N 2060 2N 2060 A *2N 2223 2N 2223 A Caractristiques gnrales & tamb = 25C General characteristics ( Sauf indications conteaires) (Unless otherwise specified} Caractristiques statiques pour chaque transistar lmentaire Static characteristics for each elementary transistor i 0 2N 2060,A * L--__+ nA Veg= 80 V 2N 2223,A 10 Courant rsiduel collecteur-base i Collector-base cut-off current CBO lg =0 2N 2060,A\ 10 Vep=80V HA tamb 150C 2N 2223,A 15 2N 2060,A: 2 Courant rsiduel metteur-base Iq =o lepo nA Emitter-base cut-off current Vep =5V 2N 22234 10 Tension de claquage collecteur-base Iq =100 BA Vv Collector-base breckdown voltage le =0 (BR)CBO} 100 v Rec=t02 * 1 oe 100 mA ViBRICER) 80 Tension de claquage collecteur-metteur c 7ivem Collector-emitter breakdown voltage 1 30 ma Vv = m. Cc. ViBR)CEO| 60 Ig =0 . ta =0 Tension de claquage metteur-base c Emitter-base breakdown voltage ge = 100 2A ViBRIEBO| 7 Vv Io =10HA 2N 2060,A 25 75 Verh ceneV 2N 2223,A\ 15 hate io = 100 pA 2N 2060A\ 30 90 . Vog=5 V Valeur statique du rapport du transfert '2N 2223,A 25 150 direct du courant Static forward current transfer ratio la =1mA Vor =5V 2N 2060,A 40 120 ho1E v Ig =10 mA 2N 2060,A 50 150 Voe=SV 2N2223,A 50 200 *Impulsions t_=300us < 2% Pulsed 3/52N 2060 * 2N 2060A 2N 2223 * 2N 2223 A Caractristiques gnrales 4 tamh = 25C General characteristics Caractristiques statiques pour chaque transistor lmentaire Static characteristics for each elementary transistor Paramtre. Conditions de mesute |_| | Parameter Jest conditions oS S I. =50mA 2N 2060 12 Tension de saturation collecteur-metteur c =m Vv Collector-emitter saturation voltage Ip =5mA 2N 2223,A CEsat v 2N 2060A 06 Tension de saturation base-metteur Iq =50mA Vv 0,9 Vv Base-emitter saturation voltage ip =5mA BEsat Caractristiques dynamiques pour chaque transistor lmentaire (pour petits signaux) Dynamic characteristics for each elementary transistor (for small signals} f =1tkHz 2N 20604 50 150 Rapport de transfert direct du courant = Forward current transfer ratio ' =1mA hte Voce =5V 2N 2223, 40 200 f =1kHz Ip =1mA Nib 20 30; 2 lmpdance dentre Vee =5V Input impedance | =1mA Cc 2N2060A| M116 1 4 | ko Vopa5 Vv Rapport de transfert inverse fost kHe de la tension J Vop=5V 2N2223A] 42, 3 | 104 inverse voltage transfer ratio le =1mA f =1kHz Io =imA 2N2060A] 226 4 16 | us Vop=5 V Admittance de sortie Output admittance f =1kHz Ig =1mA 2N 2223A} hap 0,5) us VepzoV le =50mA 2N 2060A 60 Frquence de transition = Transition frequency Voe= 10Vv fr Mie f =20 MHz 2N 2223,A 50 4/6*2N 2060 2N 2060 A *2N 2223 2N 2223 A Caractristiques gnrales @ tamb = 25C General characteristics Caractristiques statiques pour chaque transistor lmentaire Static characteristics for each elementary transistor Paramtre Conditions de mesure Min. Typ.) Max. Parameter Test conditions Miao | Tyan. 4 Max. c it d . Voeps 10V apacit de sortie > Output capacitance le =0 ( 22b 15 f =1MHz pF Capacit dentre Vep= 9.5 V c 9s input capacitance le =0 11b : f = 1MHz le = 0,3 mA Voges 10V Rg 75102 2N 2060A F f = 1 kHz Facteur de bruit At =200Hz Noise figure F dB \e ome Voe= 10 2N 20604 8 Rg =1 kQ B =15,7 kHz 5/5