BAV99W
BAV99W
Surface Mount Small Si gn al D o u bl e-Diodes
Kleinsignal-Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2006-07-11
Dimensions - Maße [mm]
1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2
Power dissipation – Verlustleistung 200 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
70 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
SOT-323
Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C)
per diode / pro Diode BAV99W
Power dissipation − Verlustleistung 1)P
tot 200 mW 2)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) IFAV 200 mA 2)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom IFRM 300 mA 2)
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 ms
tp ≤ 1 µs
IFSM
IFSM
IFSM
0.5 A
1 A
2 A
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung VRRM 85 V
Reverse voltage – Sperrspannung (dc) VR70 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Charact eris tics (T j = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
IF = 1 mA
IF = 10 mA
IF = 50 mA
IF = 150 mA
VF
VF
VF
VF
< 715 mV
< 855 mV
< 1.0 V
< 1.25 V
Leakage current 3)
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 25°C
VR = 25 V
VR = 70 V
IR
IR
< 30 nA
< 2.5 µA
Tj = 150°C
Tj = 150°C
VR = 25 V
VR = 70 V
IR
IR
< 30 µA
< 50 µA
1 Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden
2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
3 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
1.3
0.3
1.25
±0.1
1
±0.1
2
±0.1
2.1
±0.1
Type
Code
3
21
BAV99W
Charact eris tics (T j = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT1.5 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
trr < 4 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 620 K/W 1)
Pinning – Anschlussbelegung Marking – Stempelung
Double diode, series connection
Doppeldiode, Reihenschaltung
1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2
BAV99W = A7
Other available configurations – Andere lieferbare Konfigurationen
Single diode – einzelne Diode BAL99
Double diode, common cathode – Doppeldiode, gemeinsame Kathode BAV70
Double diode, common anode – Doppeldiode, gemeinsame Anode BAW56
1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
[A]
I
F
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
T = 25°C
j
T = 125°C
j
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1
3
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