© Semiconductor Components Industries, LLC, 2011
June, 2011 Rev. 5
1Publication Order Number:
MC74VHCT541A/D
MC74VHCT541A
Octal Bus Buffer
The MC74VHCT541A is an advanced high speed CMOS octal bus
buffer fabricated with silicon gate CMOS technology. It achieves high
speed operation similar to equivalent Bipolar Schottky TTL while
maintaining CMOS low power dissipation.
The MC74VHCT541A is a noninverting, 3state, buffer/line
driver/line receiver. When either OE1 or OE2 is high, the terminal
outputs are in the high impedance state.
The VHCT inputs are compatible with TTL levels. This device can
be used as a level converter for interfacing 3.3 V to 5.0 V, because it
has full 5.0 V CMOS level output swings.
The VHCT541A input and output (when disabled) structures
provide protection when voltages between 0 V and 5.5 V are applied,
regardless of the supply voltage. These input and output structures
help prevent device destruction caused by supply
voltageinput/output voltage mismatch, battery backup, hot insertion,
etc.
Features
High Speed: tPD = 5.4 ns (Typ) at VCC = 5.0 V
Low Power Dissipation: ICC = 4 mA (Max) at TA = 25°C
TTLCompatible Inputs: VIL = 0.8 V; VIH = 2.0 V
Power Down Protection Provided on Inputs and Outputs
Balanced Propagation Delays
Designed for 4.5 V to 5.5 V Operating Range
Low Noise: VOLP = 1.6 V (Max)
Pin and Function Compatible with Other Standard Logic Families
Latchup Performance Exceeds 300 mA
ESD Performance:
Human Body Model > 2000 V;
Machine Model > 200 V
Chip Complexity: 134 FETs or 33.5 Equivalent Gates
These Devices are PbFree and are RoHS Compliant
SOEIAJ20
SUFFIX M
CASE 967
http://onsemi.com
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 4 of this data sheet.
ORDERING INFORMATION
MARKING
DIAGRAMS
74VHCT541
AWLYWWG
20
1
20
1
1
TSSOP20
SUFFIX DT
CASE 948E
SOIC20WB
SUFFIX DW
CASE 751D
VHCT
541A
ALYWG
G
1
1
20
1
VHCT541A
AWLYYWWG
A = Assembly Location
WL, L = Wafer Lot
YY, Y = Year
WW, W = Work Week
G or G= PbFree Package
(Note: Microdot may be in either location)
L
L
H
X
L
L
X
H
L
H
X
X
FUNCTION TABLE
Inputs
Output Y
OE1 OE2 A
L
H
Z
Z
MC74VHCT541A
http://onsemi.com
2
18 Y1
2
A1
17 Y2
3
A2
16 Y3
4
A3
15 Y4
5
A4
14 Y5
6
A5
13 Y6
7
A6
12 Y7
8
A7
11 Y8
9
A8
OE1
OE2
1
19
OUTPUT
ENABLES
DATA
INPUTS
NONINVERTING
OUTPUTS
Figure 1. Logic Diagram
Figure 2. Pin Assignment
A5
A3
A2
A1
OE1
GND
A8
A7
A6
A4 5
4
3
2
1
10
9
8
7
6
14
15
16
17
18
19
20
11
12
13
Y3
Y2
Y1
OE2
VCC
Y8
Y7
Y6
Y5
Y4
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Value
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Supply Voltage
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
– 0.5 to + 7.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Input Voltage
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
– 0.5 to + 7.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vout
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Output Voltage Outputs in 3State
High or Low State
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
– 0.5 to + 7.0
– 0.5 to VCC + 0.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IIK
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Input Diode Current
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
20
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IOK
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Output Diode Current (VOUT < GND; VOUT > VCC)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
±20
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Iout
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Output Current, per Pin
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
±25
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Supply Current, VCC and GND Pins
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
±75
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Power Dissipation in Still Air, SOIC Package†
TSSOP Package†
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
500
450
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mW
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Tstg
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Temperature
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
– 65 to + 150
ÎÎÎ
ÎÎÎ
_C
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings
applied to the device are individual stress limit values (not normal operating conditions) and are
not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,
damage may occur and reliability may be affected.
Derating SOIC Packages: – 7 mW/_C from 65_ to 125_C
TSSOP Package: 6.1 mW/_C from 65_ to 125_C
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎ
ÎÎ
Unit
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Supply Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
5.5
ÎÎ
ÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Input Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
5.5
ÎÎ
ÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vout
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Output Voltage Outputs in 3State
High or Low State
ÎÎÎ
ÎÎÎ
0
0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
5.5
VCC
ÎÎ
ÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TA
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating Temperature
ÎÎÎ
ÎÎÎ
40
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
+ 85
ÎÎ
ÎÎ
_C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
tr, tf
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Input Rise and Fall Time VCC =5.0V ±0.5V
ÎÎÎ
ÎÎÎ
0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
20
ÎÎ
ÎÎ
ns/V
This device contains protection
circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
fields. However, precautions must
be taken to avoid applications of any
voltage higher than maximum rated
voltages to this highimpedance cir-
cuit. For proper operation, Vin and
Vout should be constrained to the
range GND v (Vin or Vout) v VCC.
Unused inputs must always be
tied to an appropriate logic voltage
level (e.g., either GND or VCC).
Unused outputs must be left open.
MC74VHCT541A
http://onsemi.com
3
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Test Conditions
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCC
V
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
TA = 25°C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
TA = 40 to 85°C
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
Unit
ÎÎ
ÎÎ
Min
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Typ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
VIH
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Minimum HighLevel Input Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
4.5 to 5.5
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
2.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
2.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
V
VIL
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum LowLevel Input Voltage
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
4.5 to 5.5
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
0.8
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
0.8
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
V
VOH
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Minimum HighLevel Output
Voltage Vin = VIH or VIL
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
IOH = 50mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
4.5
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
4.4
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
4.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
4.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
V
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
IOH = 8mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
4.5
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
3.94
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
3.80
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
VOL
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum LowLevel Output
Voltage Vin = VIH or VIL
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
IOL = 50mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
4.5
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
0.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
0.1
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
0.1
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
V
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
IOL = 8mA
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
4.5
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
0.36
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
0.44
ÎÎ
ÎÎ
Iin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Input Leakage Current
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Vin = 5.5 V or GND
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
0 to 5.5
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
±0.1
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
±1.0
ÎÎ
ÎÎ
mA
IOZ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum 3State Leakage Current
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Vin = VIL or VIH
Vout = VCC or GND
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
5.5
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
± 0.25
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
± 2.5
ÎÎ
ÎÎ
mA
ICC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Quiescent Supply Current
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Vin = VCC or GND
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
5.5
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
4.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
40.0
ÎÎ
ÎÎ
mA
ICCT
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Quiescent Supply Current
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
Per Input: VIN = 3.4V
Other Input: VCC or GND
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
5.5
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
1.35
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.50
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
mA
IOPD
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Output Leakage Current
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
VOUT = 5.5V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
0
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
0.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
5.0
ÎÎ
ÎÎ
mA
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0ns)
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Parameter
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Test Conditions
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
TA = 25°C
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
TA = 40 to 85°C
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
Unit
ÎÎ
ÎÎ
Min
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Typ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
tPLH,
tPHL
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Propagation Delay,
A to Y
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC = 5.0 ± 0.5V CL = 15pF
CL = 50pF
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
5.0
5.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
6.9
7.9
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
1.0
1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
8.0
9.0
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ns
tPZL,
tPZH
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Output Enable TIme,
OE to Y
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC = 5.0 ± 0.5V CL = 15pF
RL = 1kWCL = 50pF
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
8.3
8.8
ÎÎÎ
ÎÎÎ
11.3
12.3
ÎÎÎ
ÎÎÎ
1.0
1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
13.0
14.0
ÎÎ
ÎÎ
ns
tPLZ,
tPHZ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Output Disable Time,
OE to Y
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC = 5.0 ± 0.5V CL = 50pF
RL = 1kW
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
9.4
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
11.9
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
13.5
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ns
tOSLH,
tOSHL
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Output to Output Skew
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC = 5.0 ± 0.5V CL = 50pF
(Note 1)
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.0
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ns
Cin
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Input Capacitance
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
4
ÎÎÎ
ÎÎÎ
10
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
10
ÎÎ
ÎÎ
pF
Cout
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum 3State Output Capacitance
(Output in High Impedance State)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
9
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
pF
CPD Power Dissipation Capacitance (Note 2)
Typical @ 25°C, VCC = 5.0V
pF
19
1. Parameter guaranteed by design. tOSLH = |tPLHm tPLHn|, tOSHL = |tPHLm tPHLn|.
2. CPD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load.
Average operating current can be obtained by the equation: ICC(OPR) = CPD VCC fin + ICC / 8 (per bit). CPD is used to determine the noload
dynamic power consumption; PD = CPD VCC2 fin + ICC VCC.
NOISE CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0ns, CL = 50pF, VCC = 5.0V)
Symbol Parameter
TA = 25°C
Unit
Typ Max
VOLP Quiet Output Maximum Dynamic VOL 1.2 1.6 V
VOLV Quiet Output Minimum Dynamic VOL 1.2 1.6 V
VIHD Minimum High Level Dynamic Input Voltage 2.0 V
VILD Maximum Low Level Dynamic Input Voltage 0.8 V
MC74VHCT541A
http://onsemi.com
4
ORDERING INFORMATION
Device Package Shipping
MC74VHCT541ADWG SOIC20WB
(PbFree)
38 Units / Rail
MC74VHCT541ADWRG SOIC20WB
(PbFree)
1000 / Tape & Reel
MC74VHCT541ADTG TSSOP20* 75 Units / Rail
MC74VHCT541ADTRG TSSOP20* 2500 / Tape & Reel
MC74VHCT541AMELG SOEIAJ20
(PbFree)
2000 / Tape & Reel
For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
*This package is inherently PbFree.
Figure 3. Switching Waveform Figure 4. Switching Waveform
OE1 or OE2
Y
Y 1.5V
tPZL tPLZ
tPZH tPHZ
3V
HIGH
IMPEDANCE
VOL +0.3V
VOH -0.3V
HIGH
IMPEDANCE
*Includes all probe and jig capacitance
CL*
TEST POINT
DEVICE
UNDER
TEST
OUTPUT
Figure 5. Test Circuit
*Includes all probe and jig capacitance
CL*
TEST POINT
DEVICE
UNDER
TEST
OUTPUT
Figure 6. Test Circuit
CONNECT TO VCC WHEN
TESTING tPLZ AND tPZL.
CONNECT TO GND WHEN
TESTING tPHZ AND tPZH.
1 kW
GND
tPHL
Y
A
tPLH
1.5V
1.5V
3V
VOL
VOH
1.5V
1.5V
GND
MC74VHCT541A
http://onsemi.com
5
PACKAGE DIMENSIONS
20
1
11
10
B20X
H10X
C
L
18X A1
A
SEATING
PLANE
q
hX 45_
E
D
M
0.25 M
B
M
0.25 S
AS
B
T
eT
B
A
DIM MIN MAX
MILLIMETERS
A2.35 2.65
A1 0.10 0.25
B0.35 0.49
C0.23 0.32
D12.65 12.95
E7.40 7.60
e1.27 BSC
H10.05 10.55
h0.25 0.75
L0.50 0.90
q0 7
NOTES:
1. DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
2. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M, 1994.
3. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD
PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 PER SIDE.
5. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE PROTRUSION
SHALL BE 0.13 TOTAL IN EXCESS OF B
DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL
CONDITION.
__
SOIC20 WB
DW SUFFIX
CASE 751D05
ISSUE G
MC74VHCT541A
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
TSSOP20
CASE 948E02
ISSUE C
DIM
A
MIN MAX MIN MAX
INCHES
6.60 0.260
MILLIMETERS
B4.30 4.50 0.169 0.177
C1.20 0.047
D0.05 0.15 0.002 0.006
F0.50 0.75 0.020 0.030
G0.65 BSC 0.026 BSC
H0.27 0.37 0.011 0.015
J0.09 0.20 0.004 0.008
J1 0.09 0.16 0.004 0.006
K0.19 0.30 0.007 0.012
K1 0.19 0.25 0.007 0.010
L6.40 BSC 0.252 BSC
M0 8 0 8
____
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION:
MILLIMETER.
3. DIMENSION A DOES NOT INCLUDE
MOLD FLASH, PROTRUSIONS OR GATE
BURRS. MOLD FLASH OR GATE BURRS
SHALL NOT EXCEED 0.15 (0.006) PER SIDE.
4. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE
INTERLEAD FLASH OR PROTRUSION.
INTERLEAD FLASH OR PROTRUSION
SHALL NOT EXCEED 0.25 (0.010) PER SIDE.
5. DIMENSION K DOES NOT INCLUDE
DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE
DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.08
(0.003) TOTAL IN EXCESS OF THE K
DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL
CONDITION.
6. TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN FOR
REFERENCE ONLY.
7. DIMENSION A AND B ARE TO BE
DETERMINED AT DATUM PLANE W.
ÍÍÍÍ
ÍÍÍÍ
ÍÍÍÍ
110
1120
PIN 1
IDENT
A
B
T
0.100 (0.004)
C
DGH
SECTION NN
K
K1
JJ1
N
N
M
F
W
SEATING
PLANE
V
U
S
U
M
0.10 (0.004) V S
T
20X REFK
L
L/2
2X
S
U0.15 (0.006) T
DETAIL E
0.25 (0.010)
DETAIL E
6.40 0.252
--- ---
S
U0.15 (0.006) T
7.06
16X
0.36 16X
1.26
0.65
DIMENSIONS: MILLIMETERS
1
PITCH
SOLDERING FOOTPRINT
MC74VHCT541A
http://onsemi.com
7
PACKAGE DIMENSIONS
SOEIAJ20
M SUFFIX
CASE 96701
ISSUE A
DIM MIN MAX MIN MAX
INCHES
--- 2.05 --- 0.081
MILLIMETERS
0.05 0.20 0.002 0.008
0.35 0.50 0.014 0.020
0.15 0.25 0.006 0.010
12.35 12.80 0.486 0.504
5.10 5.45 0.201 0.215
1.27 BSC 0.050 BSC
7.40 8.20 0.291 0.323
0.50 0.85 0.020 0.033
1.10 1.50 0.043 0.059
0
0.70 0.90 0.028 0.035
--- 0.81 --- 0.032
A1
HE
Q1
LE
_10 _0
_10 _
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE
MOLD FLASH OR PROTRUSIONS AND ARE
MEASURED AT THE PARTING LINE. MOLD FLASH
OR PROTRUSIONS SHALL NOT EXCEED 0.15
(0.006) PER SIDE.
4. TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN FOR
REFERENCE ONLY.
5. THE LEAD WIDTH DIMENSION (b) DOES NOT
INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE
DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.08 (0.003)
TOTAL IN EXCESS OF THE LEAD WIDTH
DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
DAMBAR CANNOT BE LOCATED ON THE LOWER
RADIUS OR THE FOOT. MINIMUM SPACE
BETWEEN PROTRUSIONS AND ADJACENT LEAD
TO BE 0.46 ( 0.018).
HE
A1
LE
Q1
_
c
A
Z
D
E
20
110
11
b
M
0.13 (0.005)
e
0.10 (0.004)
VIEW P
DETAIL P
M
L
A
b
c
D
E
e
L
M
Z
ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice
to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability
arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.
“Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All
operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights
nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should
Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates,
and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death
associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal
Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
N. American Technical Support: 8002829855 Toll Free
USA/Canada
Europe, Middle East and Africa Technical Support:
Phone: 421 33 790 2910
Japan Customer Focus Center
Phone: 81357733850
MC74VHCT541A/D
LITERATURE FULFILLMENT:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 3036752175 or 8003443860 Toll Free USA/Canada
Fax: 3036752176 or 8003443867 Toll Free USA/Canada
Email: orderlit@onsemi.com
ON Semiconductor Website: www.onsemi.com
Order Literature: http://www.onsemi.com/orderlit
For additional information, please contact your local
Sales Representative