SM5059 ... SM5063
SM5059 ... SM5063
Surface Mount Silicon Rectifier Diodes
Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage
Version 2012-02-04
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current – Nennstrom 2 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
200...1000 V
Plastic case MELF
Kunststoffgehäuse MELF
DO-213AB
Weight approx. – Gewicht ca. 0.12 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
SM5059 200 200
SM5060 400 400
SM5061 600 600
SM5062 800 800
SM5063 1000 1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C IFAV 2 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz IFRM 10 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 50/55 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C i2t 12.5 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
1 Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Typ
0.5 0.5
5.0 2.5
SM5059 ... SM5063
Characteristics Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 2 A VF< 1.1 V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 165°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 5 µA
< 300 µA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 45 K/W 1)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
RthT < 10 K/W
1 Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
50a-(2a-1.1v)
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
10
10
1
2
[A]
î
F
1 10 10 [n] 10
2 3
