Transistor NPN silicium 2N 3309 Planar pitaxial NPN silicon transistor Epitaxial planar 2K Dispositif reeommand Prefered device - Amplification de puissance Donnes principales a 250 MHz Principal features Power amplification at 250 MHz Vcso 50 V VcEO 30 V fy 300 MHz min. Pout 2W min. (250 MHz) Dissipation de puissance maximale : Maximum power dissipation Gp 7 dB min, (250 MHz) tot (w) . mN Boitier TO- 39 3 t fase N p a \ ! \ Cio oF ' i o 1 ' rN / / B 0 aN 0 50 100 150 tami(?C) (1) Le collecteur est reli au boitier tease (C1(2) Coliector is connected to case Valeurs limites absolues d'utilisation a tamp=25C ; Absolute ratings (limiting values} (Sau indications contraires } (Unless otherwise specified) Paramatre Parameter Tension collecteur-base Collector-base voltage Veso 50 v Tension collecteur-metteur Coallector-emitter voltage VoEo 30 v Tension metteur-base Vv Emitter-base voltage EBO 3 v Courant collecteur Collector current Ig 0,5 A Courant base Base current 'p 0,1 A Dissipation de puissance tamp =25C (1) Pp 1 Power dissipation tamb =25C (2) tot 3,5 w Temprature de jonction t Junction tempersture max. J 175 C Temprature de stockage min. t, 65 C Storage temperature max, stg +475 1970-04 V3 ef. Seomsen2N 3309 Caractristiques gnrales a tease = 25C General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics (Sauf indications contraires} {Uniecs otherwise specitied} Paramitre Conditions de mesure Min. | Typ. | Max. Parameter Tost caniitions Min. \ Typ. Max. Courant rsiduet coltecteur-base le =0 | ourant rsi ci + Collector-base cut-off current Ves =25V CBO 0,005 | 0.5 HA vee 50 v 100 Courant rsiduel collecteur-metteur CE log A Collector-emitter cut-off current Vee = 0 tease Ss Bu VCE =25V 1 ae 500 . 4 =0 Courant rsiduel metteur-base c Emitter-base cut-off current Ves = 3V 'EBo 100 uA Vor = * ioe 60 mA ViBRICES| 60 Tension de claquage collecteur-metteur Cc m V Collector-emitter breakdown voltage Ip -0 x Ic = 100mA Yipryceo} 30 lo = 30mA . 5 100 Valeur statique du rapport du transfert Vee =2V h direct du courant 21E Static forward current transter ratio le = 250 mA 5 Vee =2V : Iq = 250 mA Tension de saturation collecteur-metteur Va 05 Vv Collector-emitter saturation voltage 'g = 65mA CEsat ' = 250 mA Tension de saturation base-metteur lg 250m Vv 2 Vv Base-emitter saturation voltage Ip = 65 mA BEsat * tmpulsions t,.=100us 6 < 2% Srieti . . . Pulsed Pp Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics (for smatt signals} le = 30 mA Frquence de transition = Transition frequency Voce = 15V fr 300 | 400 MHz f = 100 MHz \p =0 Capacit de sortie Veg = 15 V Output capacitance cB Coan 6 10 pF f = 100 kHz 2/32N 3309 Caractristiques gnrales & tamb = 25C General characteristics Caractristiques dynamiques {pour grands signaux) Dynamic characteristics (for large signals) | Paramtee | Conditions de mesure: Min, | Tye. | Max. 9 Parmeter oF Min. | Typ. | Max: lc 160 mA Vee = 25V Gain en puissance Fig 1 G Power gain f = 250 MHz P ? dB Pout 2W lg = 160 mA Voge = 25V Puissance de sortie en amplificateur pP WwW Amplitier output power f = 250 MHz out 2 Fig 1 Pi, = 400 mw Iq = 160 mA Vee = 25V Efficacit collecteur Fig 1 n Collector efficiency f = 250 MHz Cc 50 % in = 400 mw Figure 1 Ly 1 spire fil tam 1,27 mm. inside ? @ 1,2?mm. tinned wire-spiral - 0 12,7 mm. inside ly 1 spire fil tam 1,02 mm. 1 wy 1,02 mm. tinned wire-spiral - Mid plug-in Lg 2 spires fil maill 1,02 mm. 2 @ 1,02 mm.enameted wire-spiral f = 250 MHz L & L. Couplage mutuel a spires jointives 1 ly 3 sur mandrin de 6,35 mm, SBTM Touching spiral mutual coupling on $ 6,35 mm. chuck La & Le Self de choc 0,68 4H 50 4 5 Choke coil 0,68 nH bc 1 C, & C, Trimmer cramique 4 F, 1 2 Cramic-trimmer ~ 430p Fem oO N mf TRa Cy & Lg Trimmer a air 4-30pF Air-trimmer 3/3