Plastic Medium-Power
Complementary Silicon Transistors
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed
switching applications.
•High DC Current Gain —
hFE = 2500 (Typ) @ IC
= 4.0 Adc
•Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mAdc
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — TIP120, TIP125
= 80 Vdc (Min) — TIP121, TIP126
= 100 Vdc (Min) — TIP122, TIP127
•Low Collector–Emitter Saturation Voltage —
VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
= 4.0 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc
•Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors
•TO–220AB Compact Package
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
TIP120,
TIP125
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
TIP121,
TIP126
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
TIP122,
TIP127
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCB
ÎÎÎ
ÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎ
VEB
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous
Peak
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
IC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
8.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
120
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TC = 25C
Derate above 25C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
65
0.52
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TA = 25C
Derate above 25C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
2.0
0.016
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Unclamped Inductive Load Energy (1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
E
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
50
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mJ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction,
Temperature Range
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TJ, Tstg
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
RθJC
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
1.92
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
RθJA
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
62.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
(1) IC = 1 A, L = 100 mH, P.R.F. = 10 Hz, VCC = 20 V, RBE = 100 Ω.
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductor
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
April, 2002 – Rev. 5 1Publication Order Number:
TIP120/D
TIP120
TIP121
TIP122
TIP125
TIP126
TIP127
DARLINGTON
5 AMPERE
COMPLEMENTARY SILICON
POWER TRANSISTORS
60–80–100 VOLTS
65 WATTS
*ON Semiconductor Preferred Device
*
NPN
PNP
*
*
*
CASE 221A–09
TO–220AB
*
*
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
123
4
TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127
http://onsemi.com
2
80
00 20 40 60 80 100 120 160
Figure 1. Power Derating
T, TEMPERATURE (°C)
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
40
20
60
140
TC
4.0
0
2.0
1.0
3.0
TA
TA
TC
TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127
http://onsemi.com
3
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
(IC = 100 mAdc, IB = 0) TIP120, TIP125
TIP121, TIP126
TIP122, TIP127
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCEO(sus)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
60
80
100
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
—
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = 30 Vdc, IB = 0) TIP120, TIP125
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) TIP121, TIP126
(VCE = 50 Vdc, IB = 0) TIP122, TIP127
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICEO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.5
0.5
0.5
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCB = 60 Vdc, IE = 0) TIP120, TIP125
(VCB = 80 Vdc, IE = 0) TIP121, TIP126
(VCB = 100 Vdc, IE = 0) TIP122, TIP127
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICBO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.2
0.2
0.2
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
IEBO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS (1)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
(IC = 0.5 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
(IC = 3.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hFE
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
1000
1000
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 3.0 Adc, IB = 12 mAdc)
(IC = 5.0 Adc, IB = 20 mAdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCE(sat)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.0
4.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage
(IC = 3.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VBE(on)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.5
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Small–Signal Current Gain
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hfe
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
4.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz TIP125, TIP126, TIP127
TIP120, TIP121, TIP122
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Cob
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
300
200
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
pF
(1) Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2%.
Figure 2. Switching Times Test Circuit
5.0
0.1
Figure 3. Switching Times
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
t, TIME (s)µ
2.0
1.0
0.5
0.05
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 10
0.3
0.7
PNP
NPN
tf
tr
ts
td @ VBE(off) = 0
V2
approx
+8.0 V
V1
approx
-12 V
tr, tf ≤ 10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
25 µs
0
RB
51 D1
+4.0 V
VCC
-30 V
RC
TUT
≈ 8.0 k ≈ 120
SCOPE
for td and tr, D1 is disconnected
and V2 = 0
For NPN test circuit reverse all polarities.
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg:
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA
VCC = 30 V
IC/IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
3.0
0.2
0.1
0.07
5.0 7.0
TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127
http://onsemi.com
4
Figure 4. Thermal Response
t, TIME (ms)
1.0
0.01
0.01
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
(NORMALIZED)
0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 1.0 k500
ZθJC(t) = r(t) RθJC
RθJC = 1.92°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) - TC = P(pk) ZθJC(t)
P(pk)
t1t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
D = 0.5
0.2
0.05
0.02
0.01 SINGLE PULSE
0.1
0.7
0.3
0.07
0.03
0.02
20
1.0
Figure 5. Active–Region Safe Operating Area
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10
5.0
2.0
1.0
0.02
2.0 5.0 20 50 100
BONDING WIRE LIMITED
THERMALLY LIMITED
@ TC = 25°C (SINGLE PULSE)
0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
TJ = 150°Cdc
1ms
100 µs
0.2
0.1
10
0.05
SECOND BREAKDOWN LIMITED
CURVES APPLY BELOW
RATED VCEO
5ms
3.0 7.0 30 70
TIP120, TIP125
TIP121, TIP126
TIP122, TIP127
500 µs
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation, i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150C; TC is
variable depending on conditions. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
< 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in
Figure 4. A t high case temperatures, thermal limitations will
reduce the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown
300
0.1
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
30 2.0 5.0 10 20 100500.2 0.5 1.0
C, CAPACITANCE (pF)
100
50
TJ = 25°C
Cib
70
Cob
PNP
NPN
Figure 6. Small–Signal Current Gain
10,000
1.0
f, FREQUENCY (kHz)
10
20 50 100 200 10002.0 5.0 10
3000
500
100
TC = 25°C
VCE = 4.0 Vdc
IC = 3.0 Adc
1000
PNP
NPN
Figure 7. Capacitance
50
500
hfe , SMALL-SIGNAL CURRENT GAIN
5000
2000
300
200
30
20
200
TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127
http://onsemi.com
5
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
20,000
0.1
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
200 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 10
500
1000
300
hFE, DC CURRENT GAIN
2000
3000
VCE = 4.0 V
0.7 3.0
NPN
TIP120, TIP121, TIP122 PNP
TIP125, TIP126, TIP127
Figure 9. Collector Saturation Region
3.0
0.3
IB, BASE CURRENT (mA)
1.0 0.5 1.0 2.0 10 30
1.8
IC = 2.0 A
TJ = 25°C
4.0 A
2.2
2.6
0.7 5.0
3.0
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 5.0 10
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VCE(sat) @ IC/IB = 250
V, VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. “On” Voltages
VBE @ VCE = 4.0 V
3.0
10,000
5000 TJ = 150°C
25°C
-55°C
20
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
hFE, DC CURRENT GAIN
VCE = 4.0 V
TJ = 150°C
25°C
-55°C
1.4
6.0 A
IB, BASE CURRENT (mA)
TJ = 25°C
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
V, VOLTAGE (VOLTS)
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VCE(sat) @ IC/IB = 250
VBE @ VCE = 4.0 V
5.0 7.0
20,000
0.1
200 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 10
500
1000
300
2000
3000
0.7 3.0
10,000
5000
5.0 7.0
7000
700
3.0 7.0
3.0
0.3
1.0 0.5 1.0 2.0 10 30
1.8
2.2
2.6
0.7 5.0 20
1.4
3.0 7.0
IC = 2.0 A 4.0 A 6.0 A
0.7 7.0
3.0
0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 5.0 10
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5 3.00.7 7.0
TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 221A–09
ISSUE AA
TO–220AB
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERSINCHES
A0.570 0.620 14.48 15.75
B0.380 0.405 9.66 10.28
C0.160 0.190 4.07 4.82
D0.025 0.035 0.64 0.88
F0.142 0.147 3.61 3.73
G0.095 0.105 2.42 2.66
H0.110 0.155 2.80 3.93
J0.018 0.025 0.46 0.64
K0.500 0.562 12.70 14.27
L0.045 0.060 1.15 1.52
N0.190 0.210 4.83 5.33
Q0.100 0.120 2.54 3.04
R0.080 0.110 2.04 2.79
S0.045 0.055 1.15 1.39
T0.235 0.255 5.97 6.47
U0.000 0.050 0.00 1.27
V0.045 --- 1.15 ---
Z--- 0.080 --- 2.04
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
123
4
D
SEATING
PLANE
–T–
C
S
T
U
R
J
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127
http://onsemi.com
7
Notes
TIP120 TIP121 TIP122 TIP125 TIP126 TIP127
http://onsemi.com
8
ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make
changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any
particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all
liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death
may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC
and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees
arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that
SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031
Phone: 81–3–5740–2700
Email: r14525@onsemi.com
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
For additional information, please contact your local
Sales Representative.
TIP120/D
Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada
Email: ONlit@hibbertco.com
N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada
