Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 BPW 34 B 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 0.8 0.6 Silizium-PIN-Fotodiode mit erhohter Blauempfindlichkeit Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity 0.6 0.4 0.8 0.6 0.35 0.2 0.5 0.3 0.6 0.4 0 ... 5 Photosensitive area 2.65 mm x 2.65 mm Approx. weight 0.1 g feo06643 1.8 1.4 5.08 mm spacing GEO06643 Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Speziell geeignet fur Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns) DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte SMT-Variante auf Anfrage Features Especially suitable for applications from 350 nm to 1100 nm Short switching time (typ. 25 ns) DIL plastic package with high packing density SMT version on request Anwendungen Applications Lichtschranken fur Gleich- und Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits Wechsellichtbetrieb im sichtbaren Lichtbereich Industrieelektronik "Messen/Steuern/Regeln" Typ Type Bestellnummer Ordering Code BPW 34 B Q62702-P945 Semiconductor Group 1 1997-11-19 BPW 34 B Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg - 40 ... + 85 C Lottemperatur (Lotstelle 2 mm vom Gehause entfernt bei Lotzeit t 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t 3 s) TS 230 C Sperrspannung Reverse voltage VR 32 V Verlustleistung, TA = 25 C Total power dissipation Ptot 150 mW Kennwerte (TA = 25 C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V Spectral sensitivity S 75 nA/Ix Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity S max 850 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 350 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Flache Radiant sensitive area A 7.45 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Flache Dimensions of radiant sensitive area LxB 2.73 x 2.73 mm x mm Abstand Chipoberflache zu Gehauseoberflache Distance chip front to case surface H 0.5 mm Halbwinkel Half angle 60 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current IR 2 ( 30) nA Semiconductor Group 2 S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax LxW 1997-11-19 BPW 34 B Kennwerte (TA = 25 C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 C, standard light A, T = 2856 K) (cont'd) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Spektrale Fotoempfindlichkeit, = 400 nm Spectral sensitivity S 0.2 A/W Quantenausbeute, = 400 nm Quantum yield 0.62 Electrons Photon Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix Open-circuit voltage VO 390 mV Kurzschlustrom Short-circuit current Ee = 0.5 mW/cm2, = 400 nm ISC 7.4 ( 5.4) A Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 ; VR = 5 V; = 850 nm; Ip = 800 A tr, tf 25 ns Durchlaspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 V Kapazitat, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 72 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV - 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC TCI 0.18 %/K Rauschaquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V, = 400 nm NEP 1.3 x 10- 13 W Hz Nachweisgrenze, VR = 10 V, = 400 nm Detection limit D* 2.1 x 1012 cm * Hz W Semiconductor Group 3 1997-11-19 BPW 34 B Relative spectral sensitivity Srel = f () Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ev) OHF01001 100 P S rel % 80 Total power dissipation Ptot = f (TA) OHF01066 10 3 A 10 4 mV V 10 2 10 3 VO 120 100 60 10 1 OHF00958 160 mW Ptot 140 10 2 P 40 80 60 10 0 10 1 -1 0 40 20 20 10 0 400 600 800 Dark current IR = f (VR), E = 0 10 10 3 lx 10 4 EV 10 2 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 OHF00080 4000 R 10 1 10 0 1000 nm 1200 C 0 20 40 60 80 C 100 TA Dark current IR = f (TA), VR = 5 V, E = 0 OHF00081 100 pA 0 OHF00082 10 3 R nA pF 80 10 2 3000 70 60 10 1 50 2000 40 30 10 0 1000 20 10 0 0 5 10 15 V VR 0 -2 10 20 10 -1 10 0 10 1 V 10 2 VR 10 -1 0 20 40 60 80 C 100 TA Directional characteristics Srel = f () 40 30 20 10 0 OHF01402 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 60 80 4 100 120 1997-11-19