BAS19 ... BAS21
BAS19 ... BAS21
SMD Small Signal Diodes
SMD Kleinsignal-Dioden
IFAV = 200 mA
VF1 < 1.0 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 120...250 V
IFSM = 2.5 A
trr < 50 ns
Version 2018-01-26
SOT-23
(TO-236)
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Signal processing, High-speed
Switching, Rectifying
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung, Schnelles
Schalten, Gleichrichten
Standardausführung 1)
Features
Very high switching speed
Low junction capacitance
Low leakage current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Extrem schnelles Schalten
Niedrige Sperrschichtkapazität
Niedriger Sperrstrom
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.01 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Single Diode
Einzeldiode
BAS19 ... BAS21
1 = A 2 = n. c./frei 3 = C
Type
Code
HC
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Power dissipation
Verlustleistung Ptot 250 mW 3)
Maximum average forward current
Dauergrenzstrom IFAV 200 mA 3)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
IFRM 625 mA 3)
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 µs IFSM
0.5 A
2.5 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
BAS19
BAS20
BAS21
VRRM
120 V
200 V
250 V
Reverse voltage
Sperrspannung DC VR75 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on 3 mm2 copper pads per terminal – Montage auf 3 mm2 Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
2.4
1.3
±0.1
1.1
+0.1
0.4
+0.1
2.9
±0.1
12
3
Type
Code
1.9
±0.1
-0.05
-0.2
±0.2
21
3
BAS19 ... BAS21
Characteristics Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
1)
Tj = 25°C IF = 100 mA
200 mA VF
< 1.0 V
< 1.25 V
Leakage current
Sperrstrom
1)
Tj = 25°C
Tj = 150°C VR = VRRM IR
< 100 nA
< 100 µA
Reverse breakdown voltage
Sperrseitige Abbruchspannung
1)
BAS19
BAS20
BAS21
Tj = 25°C IR = 100 µA VBR
> 120 V
> 200 V
> 250 V
Junction capacitance
Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz CT< 5 pF
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 10 mA über/through
IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 50 ns
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 420 K/W 2)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2%
Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Mounted on 3 mm2 copper pads per terminal
Montage auf 3 mm2 Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
T = 25°C
j
T = 125°C
j
[A]
I
F
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
2
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
2
[°C]
T
A
150100
50
0
