BAS19 ... BAS21 BAS19 ... BAS21 IFAV = 200 mA VF1 < 1.0 V Tjmax = 150C SMD Small Signal Diodes SMD Kleinsignal-Dioden VRRM = 120...250 V IFSM = 2.5 A trr < 50 ns Version 2018-01-26 Typical Applications Signal processing, High-speed Switching, Rectifying Commercial grade 1) +0.1 1.1 -0.2 2.9 0.1 0.4+0.1 -0.05 1 1.30.1 Type Code 2 1.9 0.1 Besonderheiten Extrem schnelles Schalten Niedrige Sperrschichtkapazitat Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7" Weight approx. Dimensions - Mae [mm] RoHS Pb EE WE 2.4 0.2 3 Features Very high switching speed Low junction capacitance Low leakage current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) EL V SOT-23 (TO-236) Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schnelles Schalten, Gleichrichten Standardausfuhrung 1) Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehausematerial Solder & assembly conditions 260C/10s Lot- und Einbaubedingungen MSL = 1 BAS19 ... BAS21 3 Type Code HC Single Diode Einzeldiode 1 1=A 2 2 = n. c./frei 3=C Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Power dissipation Verlustleistung Ptot 250 mW 3) Maximum average forward current Dauergrenzstrom IFAV 200 mA 3) IFRM 625 mA 3) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Non repetitive peak forward surge current Stostrom-Grenzwert tp 1 s tp 1 s IFSM 0.5 A 2.5 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung BAS19 BAS20 BAS21 VRRM 120 V 200 V 250 V VR 75 V Tj TS -55...+150C -55...+150C Reverse voltage Sperrspannung DC Junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25C, unless otherwise specified - TA = 25C, wenn nicht anders angegeben Mounted on 3 mm2 copper pads per terminal - Montage auf 3 mm2 Kupferbelag (Lotpads) je Anschluss (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAS19 ... BAS21 Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung 1 ) Tj = 25C IF = Leakage current Sperrstrom 1 ) Tj = 25C Tj = 150C Tj = 25C Reverse breakdown voltage Sperrseitige Abbruchspannung 1 ) BAS19 BAS20 BAS21 100 mA 200 mA VF < 1.0 V < 1.25 V VR = VRRM IR < 100 nA < 100 A IR = 100 A VBR > 120 V > 200 V > 250 V Junction capacitance Sperrschichtkapazitat VR = 0 V, f = 1 MHz CT < 5 pF Reverse recovery time Sperrverzug IF = 10 mA uber/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 50 ns Thermal resistance junction to ambient Warmewiderstand Sperrschicht - Umgebung < 420 K/W 2) RthA 10 120 [%] [A] 100 1 80 Tj = 125C 60 10 -1 40 Tj = 25C 10-2 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 10-3 [C] 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 2 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.2 ) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 s, duty cycle 2% Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhaltnis 2% Mounted on 3 mm2 copper pads per terminal Montage auf 3 mm2 Kupferbelag (Lotpads) je Anschluss http://www.diotec.com/ (c) Diotec Semiconductor AG