Transistors PNP germanium 2N 1039 2N 1040 PNP germanium transistors 2N 1041 * Dispositif recommand Prefered device - Amplification BF grands signaux, Donnes principales moyenne puissance Principal features Medium power large signal LF amplification - rommutation Jente 40 V 2N 1039 ow speed switching VcEo 50 V 2N 1040 60 V 2N 1041 le 3A Dissipation de puissance maximale hoie (1 A) 20 - 60 Maximum power dissipation Prot (w) 03 Boitier RO-122 a N Case 02 \ on \ d Co 0 25 50 75 100 tambl(?C) Le collecteur est reli au boitier Collector is connected to case Valeurs limites absolues d'utilisation @ tam= 25C Absolute ratings (limiting values) Paramitre : 2N 1039. 2N 1000 | 2N 1041 ct Cciecror base lee Vogo 60 -80 100 v Cane Sollecteur emeneur VcEo 40 -50 60 v Faroe eae tour bate Vepo 20 ~20 -20 v i aera lo 3 3 -3 A Bore lg -1 1 41 A Pea raat puissance Prot 0,4 04 04 w Jone ye pedeue max. f 100 100 100 c Horkys amperes mm | 8} sa | sto | at00 | 7S max. +100 +100 +100 1970-04 1/4 SeseSenn2N 1039 2N 1040 2N 1041 Caractristiques gnrales a tamb General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics t E Ven = 30V 2N 1039 0,03F-0,12! cB : I =0 Courant rsiduel collecteur-base E I i | Collector-base cut-off current Vop = 40 V 2N 1040 CBO 0,03}-0,125 mA I =0 E 4 Vop = -50V 2N 1041 0,03}-0,125) Vee = +02 V BE . = -0,75 Vee= -30V . . Vee = +0,2 V Courant rsiduel collecteur-metteur BE | _ Collector-emitter cut-off current Vee = -40V CEX 0,75) mA Vee = +02 V BE ' 0,75 Vee = 50 Vv . I =0 Courant rsiduel metteur-base c | _ Emitter-base cut-off current Vep= 10V EBO 0,02 mA 2N 1039 ~60 . l =0 Tension de claquage collecteur-base E Vv 7 Collector-base breakdown voltage lo =0,75 mA 2N 1040 (BR)CBO) 80 Vv 2N 1041 100 2N 1039 ~40 . l =0 * Tension de claquage collecteur-metteur B Vv Gollectoremitter Sreakdown voltage lg =-100 mA 2N 1040 |V(pR)CEO] 50 Vv 2N 1041 60 . | =0 Tension de claquage metteur-base c Vv _ Emitter-base breakdown voltage Ig =-0,75 mA (BR)EBO] 20 Vv lo = -50mA . - 33 Valeur statique du rapport du transfert Vee = ~-O5V direct du courant i TA hoie Static forward current transfer ratio com 7 20 60 Vce = -05V le = 50mA 0.35 Tension base-metteur Voe = -0.5V VBE Vv Base-emitter voltage Io = 1A -1 Vee = -0,5 V . . t = -1A Tension de saturation collecteur-metteur Cc \ Collector-emitter saturation voltage Ip = -0,1A CEsat -0,25) V *Iimpulsions t.=300us 6 < 2% Pulsed P 2a2N 1039 2N 1040 2N 1041 Caractristiques gnrales @ tamb = 25C General characteristics Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics (for small signals) Frquence de transition Transition frequency Caractristiques statiques Static characteristics Montage en metteur commun Common emitter circuit {mesures en impulsions) (pulse tests) tamb = 28C ce Y) 3/42N 1039 2N 1040 2N 1041 Caractristiques statiques Static characteristics Montage en metteur commun Common emitter circuit (mesures en impulsions) (pulse tests} Vee = -0.5 V BE 200 400 600 800 -I, (mA) 200 400 600 800 -l (mA) Ic = 10 Ig Voesar 'Y) Veesat 015 re at on o1 toh tore Zn 0.05 7 9 200400~~CSSCB I, (mA) c) v (vy -V, (v) BEsat prog + BEsat 4 = a fn ~~ sy t 0.4,-- bo a 0.4 pe TOTS [to ST ~ mn, ~ ~ -~ (A Pe 7 Neen oats 0,2 2 on pA / P, 20 400-600SS*BO0. 1, (mA) O30 88 1 $0 t (C) 4/4