ZY1 ... ZY200
ZY1 ... ZY200
Zener Diodes (non-planar technology)
Flächendiffundierte Zener-Dioden
Ptot = 2 W
VZ = 1 V ... 200 V
Tjmax = 150°C
Version 2017-07-26
~DO-41 (~DO-204AC)
Dimensions - Maße [mm]
Type: Zxx where xx = VZ
Typ: Zxx mit xx = VZ
Typical Applications
Voltage stabilization and regulators
(For overvoltage protection
– uni- and bi-directional – see
TVS diodes BZW04/P4KE series)
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Spannungsstabilisierung und -regler
(Für Überspannungsschutz
– uni-und bidirektional – siehe
TVS-Diodenreihe BZW04/P4KE)
Standardausführung 1)
Features
High power dissipation
VZ from 1 V to 200 V
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Hohe Leistungsfähigkeit
VZ von 1 V bis 200 V
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped in ammo pack 5000 Gegurtet in Ammo-Pack
Weight approx. 0.4 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard.
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen
Reihe E 24 (~ ±5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Power dissipation – Verlustleistung TA = 50°C Ptot 2 W 3)
Non repetitive peak power dissipation
Einmalige Impuls-Verlustleistung t < 1 ms PZSM 60 W 3)
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+175°C
Characteristics Kennwerte
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA <45 K/W 3)
Thermal resistance junction to lead
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschlussdraht RthL <15 K/W
45
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperatere at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
4 Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
5 The ZPY1 is a diode operated in forward. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.
The cathode, indicated by a white band, has to be connected to the negative pole.
Die ZPY1 ist eine in Durchlass betriebene Si-Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index
“F” anstatt “Z” zu setzten. Die mit weißem Balken gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Ø 0.77
±0.07
Ø 2.6
-0.1
62.5
+0.5
5.1
+0.1
-4.5
-0.5
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
ZY1 ... ZY200
Characteristics
(Tj = 25°C unless otherwise specified)
Kennwerte
(Tj = 25°C wenn nicht anders spezifiziert)
Type
Typ
Zener voltage 4)
Zener-Spannung 4)
IZ = IZtest
Test current
Mess-Strom
Dynamic resistance
Diff. Widerstand
IZtest / f = 1 kHz
Temp. Coeffic.
of Z-voltage
…der Z-Spannung
Reverse volt.
Sperrspanng.
IR = 1 μA
Z-current 3)
Z-Strom 3)
TA = 50°C
Vzmin [V] Vzmax [V] IZtest [mA] rzj [Ω] αVZ [10-4 /°C] VR [V] IZmax [mA]
ZY1 5)
0.71
0.82
100
0.5 (<1)
–26…–16
1500
ZY5.6
5.2
6.0
100
1 (<3)
–3…+5
333
ZY6.2
5.8
6.6
100
1 (<2)
–1…+6
303
ZY6.8
6.4
7.2
100
1 (<2)
0…+7
278
ZY7.5
7.0
7.9
100
1 (<2)
0…+7
253
ZY8.2
7.7
8.7
100
1 (<2)
+3…+8
230
ZY9.1
8.5
9.6
50
2 (<4)
+3…+8
208
ZY10
9.4
10.6
50
2 (<4)
+5…+9
189
ZY11
10.4
11.6
50
4 (<7)
+5…+10
172
ZY12
11.4
12.7
50
4 (<7)
+5…+10
157
ZY13
12.4
14.1
50
5 (<10)
+5…+10
142
ZY15
13.8
15.6
50
5 (<10)
+5…+10
128
ZY16
15.3
17.1
25
6 (<15)
+6…+11
117
ZY18
16.8
19.1
25
6 (<15)
+6…+11
105
ZY20
18.8
21.2
25
6 (<15)
+6…+11
94
ZY22
20.8
23.3
25
6 (<15)
+6…+11
86
ZY24
22.8
25.6
25
7 (<15)
+6…+11
78
ZY27
25.1
28.9
25
7 (<15)
+6…+11
69
ZY30
28
32
25
8 (<15)
+6…+11
63
ZY33
31
35
25
8 (<15)
+6…+11
57
ZY36
34
38
10
16 (<40)
+6…+11
53
ZY39
37
41
10
20 (<40)
+6…+11
49
ZY43
40
46
10
24 (<45)
+7…+12
43
ZY47
44
50
10
24 (<45)
+7…+12
40
ZY51
48
54
10
25 (<60)
+7…+12
37
ZY56
52
60
10
25 (<60)
+7…+12
33
ZY62
58
66
10
25 (<80)
+8…+13
30
ZY68
64
72
10
25 (<80)
+8…+13
28
ZY75
70
79
10
30 (<100)
+8…+13
25
ZY82
77
88
10
30 (<100)
+8…+13
23
ZY91
85
96
5
40 (<200)
+9…+13
21
ZY100
94
106
5
60 (<200)
+9…+13
19
ZY110
104
116
5
80 (<250)
+9…+13
17
ZY120
114
127
5
80 (<250)
+9…+13
16
ZY130
124
141
5
90 (<300)
+9…+13
14
ZY150
138
156
5
100 (<300)
+9…+13
13
ZY160
153
171
5
110 (<350)
+9…+13
12
ZY180
168
191
5
120 (<350)
+9…+13
10
ZY200
188
212
5
150 (<350)
+9…+13
9
3,4,5
3,4,5 Notes see previous page – Fußnoten siehe vorhergehende Seite
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
ZY1 ... ZY200
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3
Typ. thermal resistance vs lead length
Typ. therm. Widerst. in Abh. der Anschlusslänge
50
50
40
30
20
10
0
R
thL
[K/W]
[mm]
L 128
4
0
L
[pF]
[V]
C
j
V
Z
T = 25°C
f = 1.0 MHz
j
V = 0V
R
V = 4V
R
V = 20V
R
V = 40V
R
Junction capacitance vs. zener voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.)
0 2 3 45678 10
[V]
V
Z
[mA]
50
150
0
100
I
Z
Typical breakdown characteristic
Typische Abbruchspannung
– tested with pulses
– gemessen mit Impulsen
5,6
6,2
6,8
7,5
8,2
9,1
I
ZT
IZmax
1
T = 25°C
j
I = 5 mA
Z
Typ. Zener voltage vs. zener current – Typ. Abbruchspannung über Zenerstrom
10 18 24
30 36 43 51
62
56
68 75
82
91 100
I
ZT
I
Zmax
36 43
120
100
80
60
40
20
0
[%]
P
tot
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
30a-(1a-1.1v)