BC807 ... BC808
BC807 ... BC808
SMD General Purpose PNP Transistors
SMD Universal-PNP-Transistoren
IC= -800 mA
hFE ~ 160/250/400
Tjmax = 150°C
VCES = -30 ...-50 V
Ptot = 310 mW
Version 2019-07-08
SOT-23
(TO-236)
1 = B 2 = E 3 = C
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung 1)
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifizierung 1)
Features
General Purpose
Three current gain groups
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Universell anwendbar
Drei Stromverstärkungsklassen
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.01 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Type
Code
Complementary NPN transistors
Komplementäre NPN-Transistoren
BC807-16 = 5A or 5CR
BC807-25/-Q = 5B or 5CS
BC807-40/-Q/-AQ = 5C or 5CT
BC808-16 = 5E or 5CR
BC808-25 = 5F or 5CS
BC808-40 = 5G or 5CT
BC817, BC818
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
BC807 BC808
Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short - VCES 50 V 30 V
Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open - VCEO 45 V 25 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open - VEBO 5 V
Power dissipation – Verlustleistung Ptot 310 mW 3)
Collector current – Kollektorstrom DC - IC800 mA
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom - ICM 1 A
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom - IBM 200 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
2.4
1.3
±0.1
1.1
+0.1
0.4
+0.1
2.9
±0.1
1 2
3
Type
Code
1.9
±0.1
-0.05
-0.2
±0.2
BC807 ... BC808
Characteristics Kennwerte
Tj = 25°C Min. Typ. Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 1)
- VCE = 1 V, - IC = 100 mA
Group -16
Group -25
Group -40
hFE
100
160
250
–
–
–
250
400
630
- VCE = 1 V, - IC = 500 mA hFE 40 – –
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. 2)
- IC = 500 mA, - IB = 50 mA - VCEsat – – 0.7 V
Base-Emitter saturation voltage – Basis-Emitter-Sättigungsspannung 2)
- IC = 500 mA, - IB = 50 mA - VBEsat – – 1.3 V
Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 2)
- VCE = 1 V, - IC = 500 mA - VBE – – 1.2 V
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
- VCB = 20 V, (E open)
- VCB = 20 V, Tj = 125°C, (E open) - ICB0
–
–
–
–
100 nA
5 µA
Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom
- VEB = 4 V, (C open) - IEB0 – – 100 nA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
- VCE = 5 V, - IC = 10 mA, f = 50 MHz fT– 100 MHz –
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
- VCB = 10 V, - IE =ie = 0, f = 1 MHz CCBO – 12 pF –
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 420 K/W 2)
1 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1
[pF]
C
XY
-V
XY
Typical capacitances versus voltage
Typische Kapazitäten in Abh. der Spannung
5 10 15
[V]
0
100
80
60
40
20
0
XY = CB
f = 1 .0 M Hz
XY = EB
BC807 ... BC808
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3
10
3
10
2
h
F E
10
Typical DC current gain versus collector current (-16)
Typisches Kollektor-Basis Stromverhältnis in Abhängigkeit vom Kollektorstrom (-16)
10 -I 10 10 10 [A] 1
-4 -3 -2 -1
C
T = 25°C
j
T = 150°C
j
T = -55°C
j
V = -1V
CE
10
3
10
2
h
F E
10
Typical DC current gain versus collector current (-25)
Typisches Kollektor-Basis Stromverhältnis in Abhängigkeit vom Kollektorstrom (-25)
10 -I 10 10 10 [A] 1
-4 -3 -2 - 1
C
T = 25°C
j
T = 150°C
j
T = -55°C
j
V = -1V
CE
10
3
10
2
h
F E
10
Typical DC current gain versus collector current (-40)
Typisches Kollektor-Basis Stromverhältnis in Abhängigkeit vom Kollektorstrom (-40)
10 -I 10 10 10 [A] 1
-4 -3 -2 -1
C
T = 25°C
j
T = 150°C
j
T = -55°C
j
V = -1V
CE
BC807 ... BC808
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
4http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Relative transient thermal impedance vs. pulse duration (typical)
Relativer transienter Wärmewiderstand über Impulsdauer (typisch)
100
10
1
D = 0.5
0.01 [ms] 0.1 1 10 10 [t ] 10
2 3
p
[%]
Z
thA
R
thA
D = 0.1
D = 0.01
D -> 0
