NPN SILICON TRANSISTOR, EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR NPN SILICIUM, PLANAR EPITAXIAL 2N 2868 - High current switching Commutation fort niveau Maximum power dissipation VcEO 40 V Ic 1A ho1(150 mA) 40 - 110 VoEsat(150/15 mA) 0,25V max. Case TO-39 See outline drawing CB-7 on last pages Dissipation de puissance maximaie Bojtier Voir dessin cote CB-7 dernires pages Prot (w) 1,5 Ter 1 B 0,5 0 1) Tamp?C! Weight : 0,9 g, Collector is connected to case (2) Tease!C) Masse Le collecteur est reli au boltier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) T =+25 C {Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION amb (Sauf indications contraires} Collector-base voltage Tension coflectaur-bese Vcso 60 Vv Collector-emitter voltage Tension collecteur-metteur VcEO 40 Vv Emitter-base voltage Tension metteur-base VeBO 5 Callector current \ 1 A Courant coltecteur c Power dissipation (1) Tamb = 25C Prot 0,8 W Dissipation de puissance ~ (2) Tease = 100C 1,6 Junction temperature min. qT. 65 C Temprature de jonction max. J +200 C Storage temperature min, T 65 c Temprature de stockage max, stg +200 C 76-14 1/5 THOMSON-CSF2N 2868 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES Tamb = 25C (Unless otherwise stated) {Saut indications contraires) Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Collector-base breakdown voltage = A Tension de claquege collecteur-base Ic 100 V(aR)CBO 60 v Collector-emitter breakdown voltage l =25mA Vv Tension de claquage collecteur-6metteur c (B riced 40 V Emitter-base breakdown voltage 1 = 100 pA Vv Tension de claquage metteur-base E # (BR)EBO 5 Vv Vog = 30V 10 nA Coliector-base cut-off current \ Courant rsiduel collecteur-base CBO Veg = 30V 5 A Tamb= 150C | M Collector-emitter cut-off current Vog = 30V loex 100 nA Courant rsiduel collecteur-metteur Ves =-3V Emitter-base cut-off current = Courant rsiduel metteur-base VeB 3v E80 50 nA Emitter cut-off current (reverse Vee =-3V biased base) EB | 100 nA Courant inverse metteur-base (base VcE =30V EBX bloque} Veg = 10V lo =10 mA 20 Tamb= 725C Veg = 10V CE Ie =10mA 30 Static forward current transfer ratio Valeur statique du rapport de transfert hoy & direct du courant _ Vce = 10V 40 120 Io = 150 mA Var =10V CE Ig = 500 mA 20 * Pulsed tp 7300 ws 5 < 2% impulsions 25 2142N 2868 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES Tamb = 25C (Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires} Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Collector-emitter saturation voltage lo = 150 mA Vv, Tension de saturation collecteur-metteur 'p =15mA CEsat 0,25 Vv Base-emitter saturation voltage Iq = 150 mA VeEsat 13 Vv Tension de saturation base-metteur Ip -15mA " DYNAMIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES Vce = 10 V Forward current transfer ratio le =50mA hote 25 Rapport de transfert direct du courant f = 20 MHz Vop = 10 Vv Output capacitance 1 = c i i E 22b 20 pF Capacit de sortie f - 1 MHz 3/5 2152N 2868 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES {mA} 80 60 40 20 0 0 10 20 30 40 Vogiv) 0 1 2 3 4 Vogtv) Veesat (Vv) Ig = 150ma Ig =15mA 2 10 8 6 2 5 0 2 2 5 2? _ 40 80 120. TiC) 1071 10 10! 107 igima) 40 0 4/5 2162N 2868 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES v h 2eT (v) Vog = 10 V , 150 IZ 1,6 lSSeTs N 125 \ 1,2 LA N 100 7 oe \ Z N 75 0,8 V, | 50 A 3 Pred \ 0,4 J ae PN \ ' Lo 1 25 aa 9 2 5 2 2 9 5 5 2 5 25 .2 5 .2 5 .2 5 (2 5 = 0 1 1071 10 10 10? Igima) 102 10% "10% 40" 10? ig trmad 5/5 217