PNP SILICON TRANSISTOR, EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR PNP SILICIUM, PLANAR EPITAXIAL Compl. of 2N 2218, A and 2N 2219,.A - LE or HF amplification Amplification BF ou HF - Medium current switching Commutation 4 moyen courant *2N 2904, A *2N 2905, A 2K Preferred device Maximum power dissipation Dispositif recommand -40V 2N 2904-2905 VcEO { . -60 V 2N 2904A - 2905 A Ic 0,6A (-150 mA) (100-300 2N2905,A fr 200 MHz =o min. Case TO-39 See outline drawing CB-7 on last pages Dissipation de puissance maximale Bojtier Voir dessin cot CB-7 dernidres pages Prot {W) 3 ) E ! E 2 +4 NY \ (2) Bottom view L Vue de dessous 06 be 4 (1) ' Pm. Temp 'C} (1) Weight : 1,19 Collector is connected to case 0 50 100 150 Tease (C) (2) Masse Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES} T =+25 C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION amb {Sauf indications contraires} 2N 2904 2N 2904 A 2N 2905 2N 2905 A Collector-base voltage V, Tension collecteur-base CBO 60 60 Vv Coltector-emitter volta Vv Tension collecteursmetterr CEO 40 60 v Emitter-base voltage v ~ Tension metteur-base EBO 5 5 v Collector current i Courant collecteur c 0.6 06 A vceinati Tamb = 25C (1) 06 06 Power dissipation Prot Ww Dissipation de puissance = 2 Tease = 25C (2) 3 3 Junction temperature T; Temprature de jonction max J 200 200 c Storage temperature min T 65 65 c Temprature de stockage max stg +200 +200 76-02 1/6 THOMSON-CSF DMSION SEMICONOUCTEURS: SesSsean 2292N 2904, 2N 2904 A, 2N 2905, 2N 2905 A STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES Tamb= 25C (Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires) Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. 2N 2904 Ie =0 2N 2005 ~20 E nA Vep=80V 2N 29044 10 Collector-base cut-off current I 2N 2905A Courant rsiduel collecteur-base cBO 2N 2904 ' =0 2N 2905 ~20 Vp =50 V BA T b=! 50C 2N 2904A 10 am 2N 29054 . : Voe-=0,5 V Collector-emitter cut-off current BE~ I Courant rsiduel collecteur-metteur VcE =30 V CEX 50 nA le =0 Collector-base breakdown voltage E Vv _ Tension de claquage collecteur-bese lo =-10 pA {BR)CBO 60 v on 2008 | ~*? Cotlector-emitter breakdown voltage Ig =0 Vipriceo* Vv Tension de claquage collecteur-metteur lo =-10mA 2N 29044 2N 2905A 60 . ln =0 Emitter-base breakdown voltage Cc Vv oJ Tansion de claquage metteur-base Ip =-10 uA (BR}EBO 5 Vv 2N 2904} 20 lq =-0,1 mA 2N 2905 | 35 Voge =-10V 2N2904A| 40 2N 2905A| 75 2N 2904 | 25 le =-1mA h 2N 2905 | 50 Vv 21E ces 10V 2N 2904A| 40 Static forward current transfer ratio 2N2905A| 100 Valeur statique du rapport de transfert 2N 2904 35 direct du courant le =-10mA 2N 2905 | 75 Vogp=10V 2N2904A| 40 2N 29054; 100 lg 2-150 mA 2N 2904,A| 40 120 Vogs-l0V 2N 2905,A; 100 300 hog 2N 2904 | 20 le =-500 mA 2N 2905 | 30 Veg 2-10V 2N 2904A| 40 2N2905A| 50 * Pulsed impuisions to =300 ps 6 <2% 2/6 2302N 2904, 2N 2904 A, 2N 2905, 2N 2905 A STATIC CHARACTERISTICS - Tarn = 25C CARACTERISTIQUES STATIQUES (Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires} Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. I c =150 mA I, =-15 mA 0,4 Collector-emitter saturation voltage B Vv CE of Tension de saturation collecteur-dmetteur |. =500 mA sa Vv c -1,6 |g =-50mA / ie =-1 50 mA . . I, =-15mA 13 Base-emitter saturation voitage B VeEsat* Vv Tension de saturation base-dmetteur lo =~500 mA . Ig =50 mA 2.6 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux} lq =-50mA Transition frequency =~ Frquence de transition Vee 20 Vv fr 200 MHz f =100 MHz Vap =10V Output capacitance cB _ Cc Capacit de sortie le =0 22b 8 pF f =100 kHz Input . Vegr2V nput capacitance = Capacit dentre Ig. =0 1b 30 pF f 100 kHz SWITCHING CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DE COMMUTATION : (. =-150 mA Turn-on time c Temps total dtablissement (fig. 1) Ig *-1 5mA tatty 45 ns In *150 mA . c 2N 2904A 175: eee ane oupure (fig. 2) By =15 mA t+ t ns Igo =+15mA 2N 2905A 200. * Pulsed t, =300us 68 <2% Impulsions 3/6 2312N 2904, 2N 2904 A, 2N 2905, 2N 2905 A SWITCHING TIMES TESTS CIRCUITS SCHEMAS DE MESURES DES TEMPS DE COMMUTATION Figure 1 Oscilloscope _ <1ns Oscilloscope ov Generator t s 00 kQ 10% Gnrateur @o C < 12pF t, = 1ns 3 = 502 200 2 Input pulse (] 510 - impuision dentre 30 V 90% ) amnesia -16V Figure 2 Oscilloscope 20 kQ Oscilloscope <= Sns +13,7 V Generator t Gneratour 1kQ R > 100 kQ - 10% t, < 1s sn / Z= 502 + <ns Input pulse impuision dentre + 3V 90% ~16,3V <1ns 4/6 2322N 2904, 2N 2904 A, 2N 2905, 2N 2905 A TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES Voesat (v) 2N 2904, A Tamb = 26C 0,8 \ Og | \ \ MN | 200 mA 0,4 \ \ \ \ SS J \ \ NY NE 100 ma K_ 50 mA a 0,2 \ ~ Ph 20 mA ig = 10 MA 0 | 10? 10" 10 Igima) Vocsat 7 TT"T a) 2N 2905, A Tamb = 26C 0,8 \ \ 0,4 N <j , iN N 200 mA 02 \ NK DS 100 mA s 20 mA a mle ma... 0 | 10? 10 1071 10 Igima) 6/6 2332N 2904, 2N 2904 A, 2N 2905, 2N 2905 A TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES hore MoTamb! hore (10 mA-25C) 08 0,6 0,4 0,2 0,4 0,2 102 10"! 10 40! 102 Igtma) 46 2 468 2 468 40 fo! Vegi) Veg!) 6/6 234