Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules DD1200S33K2C Vorlaufige Daten preliminary data Diode-Wechselrichter / diode-inverter Hochstzulassige Werte / maximum rated values $ % 0 0 '() * +, '() * +, 23 % 7 28 & 1 5*" & -. * & : -9 5 * " 9 '() * " +, '() * " +, 1 = 0 23 * " 23 * " 1 F & &I 4 2 $ ? @A? " 9 1 9 -3 B # 9E 9E 23 * " 49 3G * !E 4GB -. * "E -9 -CD * "+ -9 '() * +, -. * "E -9 -CD * "+ -9 '() * " +, 2./ "H 23 * " 49 3G * !E 4GB -. * "E -9 -CD * "+ -9 '() * +, -. * "E -9 -CD * "+ -9 '() * " +, JK H" " 23 * " 49 3G * !E 4GB -. * "E -9 -CD * "+ -9 '() * +, -. * "E -9 -CD * "+ -9 '() * " +, LKMN H + "++ 0 n 6 " + , 'YQ] 6 " + , % G 1 =! = 69 + +9H+ f % % G G 1 =6 1 =E = "9E E9 9" " f f 7 1 1 7 " Dauergleichstrom: chipbezogener Wert; Terminalwert pro Zweig: <1000A DC forward current: chip related value; terminal value per arm: <1000A Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehorigen technischen Erlauterungen. This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics. It is valid with the appropriate technical explanations. !" # 2 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules DD1200S33K2C Vorlaufige Daten preliminary data 0 p 1 23 * Z-3\ 0 < #Z Z \ ' 1 0 < 100 '() * +, '() * " +, 2000 iQRST 0 10 iQRST qUG