Transistors NPN silicium Planar pitaxiaux NPW silicon transistors Epitaxial planar Planepox Commutation moyenne vitesse fort courant. Medium speed low current commutation. Equivalent a la srie 2N 2220 - 2N 2222. Equivalent to series 2N 2220 - 2N 2222. Dissipation de puissance maximale Maximum power dissipation 2N 4951 2N 4952 2N 4953 2N 4954 2% Dispositif recommand Prefered device Donnes principales Principal features VcEo 30 V 60 - 200 2N 4951 hoiE 100 - 300 2N 4952 (150 mA) 200 - 600 2N 4953 60 - 600 2N 4954 fr 250 MHz min. Prot (w) ngs : Boitier plastique TO-98 0,36 N Plastic case | I 0,24 } IN | | N 0,124 ! h oO | 9 50 100-150. 200 tamb(C) Valeurs limites absolues d'utilisation 4 tamp= 25C Absolute ratings (limiting values) Parameter Tension collecteur-base Collector-base voltage VcBo 60 60 60 40 v Tension collecteur-metteur Collector-em itter voltage VcEO 30 30 30 30 v Tension metteur-base Emitter-base voltage VeBo 5 5 5 5 Vv Courant collecteur Collector current Ie 500 500 500 500 mA Dissipation de puissance Power dissipation Prot | 036 | 036 | 036 | 036 w Temprature de jonction Junction temperature max. q 150 150 150 150 c Temprature de stockage min. t ~ 55 55 55 ~ 55 c Storage temperature max. stg +150 +150 +150 +150 1970-07-1/4 SCsSOSe ny2N 4951 2N 4952 2N 4953 2N 4954 Caractristiques gnrales @ tamb = 25C General characteristics Caractristiques statiques Statie characteristics Max.) - Params | min. | tye. . ee Parameter Be : ino Typ > Mar. 2N 4951 te 0 = 40V 2N 4952 50 nA Courant rsiduel collecteur-base Ves = 3 Collector-base cut-off current 2N 495 'cBO 'e 2N 4954 Veg = 30V 50 | nA 2N 4951 Courant rsiduel metteur-base lo 0 2N 4952 50 | nA Emitter-base cut-off current Veg =3V 2N 4953 "EBO 2N 4954 0,5 | pA 2N 4951 Tension de claquage collecteur-base le 0 2N 4952 Vv 60 v Collector-base breakdown voltage Io = 10HA 2N 4953 (BR)CBO! 2N 4954 40 Vv Tension de claquage collecteur-metteur lg = 0 Collector-em ittar Breckdown voltage Io = 10mA V(BR)CEO 30 v Tension de claquage metteur-base lo = 0 Emitter-base breakdown voltage Ie = 10yA ViBR)EBO 5 v 2N 4951 20 lo = 1mA 2N 4952 h 50 Voe = 10V | anags3] 21E | 75 2N 4954 20 2N 4951 40 Valeur statique du rapport du transfert I = 10mA 2N 4952 75 direct du courant c Static forward current transfer ratio Voce = 10V 2N 4953 150 2N 4954 hort 40 2N 4951 60 200 lo = 150mA | 2N 4952 100 300 Voge = 10V 2N 4953 200 600 2N 4954 60 600 * Impuisions t.=300us 6 < 2% Pulsed Pp Lene 2/42N 4951 2N 4952 2N 4953 2N 4954 Caractristiques gnrales a tamb = 25C General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics Min. | oTyp. | Mex) Min} Typ. | Max. Tension base-metteur In =180mA * Base-emitter voltage c m VBE 1,2 Vv Voges 10 V Tension de saturation collecteur-metteur Ig =150 ma Ve * 03 Collector-emitter saturation voltage 7) =15mA Esat ' v Tension de saturation base-metteur = * Base-emitter saturation voltage ie 150 mA VeEsat 1,3 Vv Ip =15mA tot ge . * = Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Imputsions t)=300us 5 < 2% Dynamic characteristics (for small signals} uls le =20 mA Frquence de transition = Transition frequency VcEt10V fy 250 MHz f =100 MHz Voge 10 V Capacit de sortie = C Output capacitance le =0 22b 8 pF f =1MHz Caractristiques de commutation Switching characteristics Temps total dtablissement fig: 1 Io =150 mA Turn - on time Ip ~15mA ta +t, 40 ns lo 150 ma 2N 4951 360 igi 215 mA 2N 4962 hs w= -15mA Temps total de coupure fig :2 'p2 m t, + ty Turn - off time Io = 150 mA 2N 4953 Ig, *15 mA 2N 4954 ns ga ~_.15 mA 3/42N 4951 2N 4952 2N 4953 2N 4954 Figure 1. vy =+16V t < 2ns tp < 200 us 6 <2% AAA Figure 2. V, =-30 v th alus t &7ns t <7 ns AAA. IN 916 3V =3 AAA ena! ~ > 20k2 Oscilloscope Oscilloscope Z, > 100ka C)< 12 pF ts 5ns > 502 Oscilloscope Oscilloscope 2, <100k2 Cy <12 pF t <5ns